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W631GG8KB12I TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:31:35 查看 阅读:4

W631GG8KB12I TR是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的NOR闪存芯片,广泛应用于需要快速启动和高可靠性存储的电子设备中。该芯片的容量为1Gbit,支持多种标准和高速接口,适用于工业、汽车、通信和消费类电子等多种应用场景。

参数

容量:1Gbit
  电压范围:2.3V - 3.6V
  接口类型:SPI (Serial Peripheral Interface)
  最大时钟频率:120MHz
  封装类型:8引脚SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取电流(典型值):10mA
  待机电流(典型值):10μA
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  页面大小:256字节
  扇区大小:4KB/32KB/64KB
  擦除时间(典型值,64KB扇区):50ms
  编程时间(典型值,256字节):5ms

特性

W631GG8KB12I TR具备多项先进的功能,确保其在复杂环境下的稳定性和高效性。首先,其支持高速SPI接口,最高可达120MHz的时钟频率,使得数据传输速度显著提升,适用于需要快速启动和实时数据存储的应用。其次,该芯片具备低功耗设计,待机电流仅为10μA,有助于延长电池供电设备的使用时间。此外,W631GG8KB12I TR支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、顶部/底部保护模式,以及一次性可编程(OTP)区域,增强数据安全性和防止未经授权的访问。
  在可靠性方面,该芯片具备高达100,000次的编程/擦除周期,确保长期使用的耐久性。同时,其内置的ECC(错误校正码)功能可在读取过程中检测和纠正单比特错误,提升数据完整性。W631GG8KB12I TR还支持多种擦除模式,包括扇区擦除(4KB、32KB、64KB)和全片擦除,提供灵活的数据管理方式。此外,其采用的高级CMOS工艺和优化的存储单元结构,使其在高温度环境下依然保持稳定性能,适用于工业和汽车级应用。
  为了方便系统设计和集成,该芯片采用标准的8引脚SOIC封装,兼容主流的嵌入式开发平台。同时,Winbond提供全面的技术支持和配套的软件工具,帮助开发者快速实现产品设计。

应用

W631GG8KB12I TR主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中,例如汽车电子系统(如ECU、仪表盘、ADAS)、工业自动化设备、通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、LoRa)、物联网(IoT)设备、消费类电子产品(如智能手表、智能家居控制器)、医疗设备、安防监控系统等。其高速启动能力使其特别适合用于存储启动代码和固件程序,同时其灵活的擦写功能也适合用于数据日志记录和配置信息存储。

替代型号

W25Q128JV, MX25U12355, S25FL128S

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W631GG8KB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)