容量：1Gbit（128M x 8）
　　组织结构：NOR Flash
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：12ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：56
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步接口
　　读取电流：最大 20mA（典型值）
　　待机电流：最大 10μA

W631GG6NB12I 是一款高性能的 NOR 闪存芯片，具有卓越的读取速度和可靠性，适用于对性能和稳定性要求较高的应用场景。其主要特性包括高速访问时间、宽电压工作范围、多种封装选项以及广泛的工作温度范围。
　　这款芯片支持异步并行接口，允许与多种主控设备进行直接连接，而无需额外的接口转换逻辑。这使得它在工业控制和嵌入式系统中具有很高的灵活性和兼容性。此外，其访问时间仅为 12ns，确保了快速的数据读取能力，适用于需要实时响应的应用场景。
　　W631GG6NB12I 支持低功耗模式，待机电流非常低，通常小于 10μA，非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。同时，该芯片支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），可以在不同的电源条件下稳定工作，增强了其适用性。
　　在封装方面，W631GG6NB12I 采用标准的 56 引脚 TSOP 封装，适合自动化装配和高密度 PCB 设计。这种封装形式也提供了良好的散热性能，确保在高负载环境下仍能保持稳定运行。
　　此外，这款 NOR 闪存芯片具有优异的耐久性和数据保持能力，擦写周期可达 100,000 次以上，数据保存时间可达 20 年以上，适用于需要长期稳定存储数据的应用。

W631GG6NB12I 常用于需要高性能、低功耗和高可靠性的应用场合。例如，它可以用于汽车电子系统中的固件存储，工业控制设备中的程序存储，网络设备和通信模块的启动代码存储，以及消费类电子产品如智能手表和可穿戴设备的固件存储。
　　该芯片也适用于需要快速随机读取能力的场景，如图像显示缓存、代码执行存储器（Execute-In-Place, XIP）等。在这些应用中，微控制器可以直接从 NOR 闪存中执行代码，无需将代码加载到 RAM 中，从而减少了系统启动时间和内存占用。
　　由于其宽温度范围和高可靠性，W631GG6NB12I 也非常适合用于恶劣环境下的嵌入式系统，例如工业自动化、航空航天、医疗设备和安全监控设备等。

W29GL128FHBC0C、M29W128GL1BB4CZ、S29GL128S11TFIVHS02