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W631GG6NB-11 发布时间 时间:2025/8/21 3:49:11 查看 阅读:7

W631GG6NB-11是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的NAND闪存芯片,广泛用于需要大容量存储和高速数据读写的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备高可靠性和稳定性,适合工业级和消费类电子设备的需求。

参数

容量:1 Gbit
  类型:NAND Flash
  封装:TSOP
  电源电压:2.7V - 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口:ONFI 1.0兼容
  读取速度:最高可达50MB/s
  写入速度:最高可达20MB/s
  擦除速度:最高可达2ms
  存储单元:SLC(单层单元)
  页面大小:2KB
  块大小:128KB
  擦除周期:10万次以上

特性

W631GG6NB-11是一款高性能的NAND闪存芯片,其主要特性包括高容量、低功耗、高速读写能力以及宽工作温度范围。
  首先,该芯片的容量为1Gbit,能够满足多种应用对存储容量的需求,同时支持SLC(单层单元)存储技术,提供了更高的数据存储可靠性。
  其次,W631GG6NB-11采用了低功耗设计,在多种工作模式下都能保持较低的能耗,这对于需要长时间运行的设备来说尤为重要。此外,该芯片的电源电压范围为2.7V至3.6V,适应性强,能够在不同电压环境下稳定运行。
  该芯片的接口标准为ONFI 1.0兼容,支持高速数据传输。其最大读取速度可达50MB/s,写入速度可达20MB/s,能够显著提升系统数据处理效率。同时,其页面大小为2KB,块大小为128KB,适合大规模数据存储和频繁更新的应用。
  在耐久性和可靠性方面,W631GG6NB-11支持超过10万次的擦写周期,确保了长期使用的稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境下的工业应用。
  此外,该芯片采用TSOP封装形式,体积小巧,便于集成到各种嵌入式系统和便携设备中。整体来看,W631GG6NB-11是一款功能强大、性能稳定、适用于多种应用场景的NAND闪存芯片。

应用

W631GG6NB-11适用于多种需要大容量存储和高速数据处理的电子设备,包括工业控制设备、数据采集系统、嵌入式系统、消费类电子产品如智能电视、数码相机、便携式媒体播放器等。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于车载电子系统和户外监控设备等严苛环境下的应用。

替代型号

W29N01GV

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W631GG6NB-11参数

  • 现有数量1,504现货
  • 价格1 : ¥36.65000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口SSTL_15
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)