容量：1Gb
　　类型：DRAM, LPDDR4
　　封装：122-ball BGA
　　电源电压：1.1V
　　接口：JEDEC兼容
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

W631GG6MB12J 具备出色的低功耗特性，适合用于电池供电设备，其LPDDR4架构使其在高频操作下依然保持较低的能耗。芯片内部采用x16的组织结构，支持差分时钟信号（CK_t/CK_c）和数据选通信号（DQS_t/DQS_c），以提升信号完整性和时序控制精度。该芯片支持多种工作模式，包括自刷新模式（Self-refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），进一步降低功耗。此外，W631GG6MB12J采用先进的制造工艺，具有高可靠性和稳定性，适用于严苛的工作环境。
　　这款DRAM芯片的数据传输速率高达3200Mbps，支持突发长度BL=16，并支持动态调整的输出驱动强度和输入信号阻抗匹配，以优化高频下的性能。其内部DLL（延迟锁定环）电路可确保精确的时钟对齐，提升系统稳定性。此外，W631GG6MB12J在封装设计上采用了紧凑的122-ball BGA形式，节省PCB空间，适合高密度主板布局。

W631GG6MB12J 主要应用于对内存性能和功耗要求较高的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动热点、固态硬盘（SSD）缓存以及车载信息娱乐系统。由于其高速数据传输能力和低功耗设计，该芯片也常用于嵌入式计算平台、工业控制系统、网络路由器和智能摄像头等设备中，为系统提供稳定、高效的内存支持。
　　此外，该芯片还可用于消费类电子产品中的图形处理、多媒体播放、多任务处理等场景，确保设备在高负载下依然保持流畅的运行体验。在物联网（IoT）设备中，W631GG6MB12J 也能提供可靠的内存支持，满足复杂数据处理和通信任务的需求。

AS48L16A2A4B4-085, MT53B128M16A2B4-085, K4FAB6D7KM-MJCU