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W631GG6MB12I 发布时间 时间:2025/8/21 6:59:26 查看 阅读:16

W631GG6MB12I 是 Winbond 公司推出的一款 NOR Flash 存储器芯片,具有高性能和低功耗的特点。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中,适合需要可靠非易失性存储的场景。

参数

容量:128MB
  封装:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口:SPI
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  最大时钟频率:133MHz

特性

W631GG6MB12I NOR Flash 芯片采用了先进的制造工艺,确保了高可靠性和耐用性。该芯片支持多种操作模式,包括标准 SPI、双线 SPI 和四线 SPI,以提高数据传输效率。其低功耗设计非常适合电池供电设备。此外,该芯片内置了错误检测和纠正功能,能够保证数据的完整性和安全性。
  在性能方面,W631GG6MB12I 提供了快速的读写速度,适合需要频繁更新数据的应用场景。它的擦写寿命可达10万次,数据保留时间超过20年,非常适合长期运行的工业控制系统和嵌入式设备。该芯片还具备良好的抗干扰能力,在复杂电磁环境中依然能稳定工作。
  为了简化系统设计,W631GG6MB12I 支持多种软件和硬件保护机制,可以防止意外写入和数据丢失。其小型化封装设计也节省了PCB空间,适用于紧凑型设备的开发。

应用

W631GG6MB12I NOR Flash 芯片被广泛应用于各种嵌入式系统,如智能家居控制器、工业自动化设备、医疗仪器和车载电子系统。它还适用于需要大容量非易失性存储的消费类电子产品,例如智能穿戴设备、平板电脑和游戏机外设。此外,该芯片也可用于固件存储和数据日志记录等应用场景。

替代型号

W25Q128JV, MX25L12835F

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W631GG6MB12I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)