W631GG6KB-11 TR 是由 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存芯片,属于高性能、低功耗的存储器解决方案,广泛用于嵌入式系统、工业控制、消费类电子产品以及网络设备中。该芯片采用 16 位数据总线接口,支持快速读取和编程操作,适合需要高可靠性和稳定性的应用场景。
容量:128Mb
接口类型:Parallel NOR Flash
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:56
访问时间:55ns
读取电流:10mA
待机电流:10μA
W631GG6KB-11 TR NOR 闪存芯片具有多项出色的性能特点。首先,其 128Mb 的存储容量适用于中等规模的代码存储和数据存储应用。该芯片支持 16 位并行接口,数据访问速度快,读取访问时间仅为 55ns,可满足高性能嵌入式系统的需求。
其次,芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,具有较强的电压适应能力,适合多种电源设计环境。其低功耗特性在待机模式下仅消耗 10μA 的电流,有助于延长电池供电设备的续航时间。
此外,该器件支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其 TSOP 56 引脚封装设计节省空间,便于 PCB 布局和焊接,适用于高密度电路设计。
Winbond W631GG6KB-11 TR 还具备高可靠性,支持超过 10 万次擦写周期,并具有 10 年以上的数据保存能力,适合对数据完整性要求较高的应用场景。
W631GG6KB-11 TR 主要应用于嵌入式系统中的程序存储,例如路由器、交换机、工业控制器、智能仪表、医疗设备、汽车电子模块以及消费类电子产品中的固件存储。其高速读取和低功耗特性使其特别适合需要快速启动和长期稳定运行的设备。
AM29LV128J, S29GL128S, M58LV128A