W60NE10 时间：2025/7/23 2:30:20 阅读：8

W60NE10 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高效率和高可靠性要求的应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流能力，适用于电源管理和电机控制等高功率场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：75nC
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

W60NE10 MOSFET具备低导通电阻的特性，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　该器件支持高达60A的连续漏极电流和100V的漏源电压，适用于中高功率应用。
　　其高耐压和大电流能力使其能够在苛刻的电气环境中稳定运行。
　　此外，W60NE10的封装设计有助于散热，确保在高负载条件下也能维持较低的温度上升。

应用

W60NE10主要用于电源转换设备，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器。
　　它还适用于电机控制、逆变器以及需要高效功率开关的工业自动化系统。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动车辆的电力管理系统和车载充电器设计。
　　由于其高可靠性和热稳定性，也适合用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。