型号：W48S87-04HTR
　　制造商：Winbond（华邦）
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　接口类型：SPI（Serial Peripheral Interface）
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-SOIC
　　时钟频率：最高支持80MHz（取决于具体操作模式）
　　读取电流：典型值约8mA（在80MHz下）
　　待机电流：典型值小于1μA
　　编程/擦除耐久性：100,000次以上
　　数据保持时间：超过20年
　　支持的操作模式：Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI
　　是否支持JEDEC标准：是
　　是否有写保护功能：有（通过WP引脚和状态寄存器控制）
　　是否有保持（Hold）功能：有（通过HOLD引脚）
　　是否原厂支持TRUSTME?安全功能：否（视具体子型号而定）

W48S87-04HTR具备多项先进的电气与功能特性，使其在同类SPI NOR Flash产品中具有较强的竞争力。首先，该芯片支持标准、双通道（Dual SPI）和四通道（Quad SPI）三种通信模式，在Quad SPI模式下能够显著提升数据吞吐率，满足对快速启动和高效数据读取的需求。例如，在XIP（eXecute In Place）应用场景中，CPU可以直接从该Flash中执行代码，无需将程序复制到RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。其次，芯片内置了高效的命令集架构，支持连续读取、快速读取、页编程、扇区擦除、整片擦除等多种操作指令，并可通过软件或硬件方式启用写保护功能，防止关键区域被意外修改。此外，其状态寄存器提供了详细的运行状态反馈，包括忙标志位、写使能状态、保护区域设置等，便于主机MCU进行精确控制。
　　在可靠性方面，W48S87-04HTR经过严格的制造工艺验证，具备出色的抗干扰能力和长期数据保持性能。即使在高温、高湿或电磁干扰较强的环境中，也能确保数据完整性。同时，该器件支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗极低，非常适合用于电池供电设备，有助于延长续航时间。另外，芯片具备良好的ESD（静电放电）防护能力，HBM模型下可达±4000V以上，提升了在生产和使用过程中的安全性。所有这些特性共同构成了一个稳定、高效且易于集成的存储解决方案，适用于对品质要求较高的工业和消费类应用。

W48S87-04HTR的应用领域非常广泛，涵盖了多个主流电子系统类别。在消费类电子产品中，常用于智能电视、机顶盒、路由器、无线模块和智能家居设备中，作为Bootloader、操作系统映像或应用程序代码的存储介质。由于其支持XIP功能，可以在系统上电后直接从中读取并执行初始化代码，大幅缩短启动时间，提高用户体验。在工业控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、传感器模块和远程I/O设备中，用于存储固件、校准参数和运行日志，其工业级温度范围和高可靠性确保了在恶劣环境下仍能稳定工作。
　　在网络通信设备中，如交换机、光模块和基站单元，W48S87-04HTR用于存放配置文件和设备标识信息，配合主处理器实现快速初始化和故障恢复。在汽车电子领域，虽然该型号不属车规级（AEC-Q100认证），但仍可用于车载信息娱乐系统的外围模块或后装市场设备中。此外，在物联网终端设备中，如Wi-Fi模组、蓝牙网关和环境监测节点，该芯片因其低功耗特性和小尺寸封装而备受青睐。总体而言，任何需要可靠、中小容量非易失性存储的嵌入式系统都可以考虑采用W48S87-04HTR作为理想的闪存解决方案。

W25Q80DV
　　EN25Q80B
　　SST25VF080B