时间：2025/8/20 8:43:22
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W29N02KVBIAF TR 是一款由 Winbond 公司生产的嵌入式闪存（eMMC）存储芯片，主要面向工业和消费类电子设备。该芯片采用 NAND Flash 技术，具有高存储密度、低功耗、高可靠性和良好的数据保持能力。W29N02KVBIAF TR 支持 eMMC 5.1 接口标准，内置控制器，支持多种错误校正机制（如ECC）和磨损均衡算法，适用于需要大容量存储和稳定性能的应用场景。
容量: 2 Gb (256 MB)
工艺技术: NAND Flash
接口类型: eMMC 5.1
工作电压: 2.3V ~ 3.6V
最大读取速度: 140 MB/s (顺序读取)
最大写入速度: 30 MB/s (顺序写入)
数据保持: 10 年
擦写次数: 10,000 次
封装类型: 100-ball BGA
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
W29N02KVBIAF TR 具备多种关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，该芯片采用先进的NAND Flash技术，具备高存储密度和低功耗特性，适用于电池供电设备。其次，它支持eMMC 5.1接口标准，提供高达140MB/s的读取速度和30MB/s的写入速度，满足大多数嵌入式应用的性能需求。此外，内置的控制器支持自动错误校正（ECC）、坏块管理、磨损均衡和垃圾回收等高级功能，有效延长芯片使用寿命并提升数据可靠性。
在可靠性方面，W29N02KVBIAF TR 支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于工业级环境。其数据保持能力可达10年，擦写次数最高可达10,000次，适合频繁读写的应用场景。封装方面采用100-ball BGA，节省PCB空间并提升散热性能，适用于紧凑型电子产品设计。
W29N02KVBIAF TR 主要应用于需要高可靠性和中等存储容量的嵌入式系统，例如工业控制设备、智能电表、车载导航系统、医疗电子设备、安防摄像头、智能家居控制器以及消费类电子产品如入门级平板电脑和智能穿戴设备。由于其宽温工作范围和强大的数据管理功能，该芯片也适用于需要长时间稳定运行的物联网（IoT）设备和边缘计算模块。
W29N02KVBAA
