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W29N02GVSIAA 发布时间 时间:2025/8/21 12:20:10 查看 阅读:6

W29N02GVSIAA 是一款由 Winbond 公司推出的 2Gb (256MB x 8) 串行 NAND 闪存芯片。该芯片采用高度集成的设计,适用于需要大容量存储但空间受限的应用场景。其串行接口设计有助于减少引脚数量,从而降低系统复杂度和成本。W29N02GVSIAA 支持多种先进的闪存管理技术,包括坏块管理和纠错功能,以提高数据存储的可靠性和寿命。

参数

容量: 2Gb
  电压范围: 1.65V - 3.6V
  接口类型: SPI (Serial Peripheral Interface)
  读取速度: 最高支持 80MHz
  编程/擦除速度: 页编程时间约 300μs,块擦除时间约 2ms
  封装形式: 8引脚 SOP / WSON / TSSOP
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

W29N02GVSIAA 具备多项先进特性,确保其在各种应用场景中的高效和稳定运行。该芯片支持标准 SPI 接口,并兼容多种主控器,便于系统集成。其内置的纠错码(ECC)功能可在数据读取过程中自动检测并纠正错误,提高数据完整性。此外,该芯片还具备坏块管理功能,能够在出厂前或使用过程中识别并标记不可靠的存储区域,确保用户数据的安全性。
  该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度休眠模式,非常适合电池供电设备和便携式电子产品使用。其擦写寿命可达 10 万次以上,数据保持时间长达 10 年,适用于需要频繁写入和长期数据存储的应用。W29N02GVSIAA 还支持连续读取模式,提升数据访问效率,并具备硬件写保护功能,防止误擦写操作。

应用

W29N02GVSIAA 广泛应用于需要中等容量存储且对空间和功耗有要求的电子设备中。常见应用包括嵌入式系统的程序存储、物联网设备的数据记录、工业控制设备的固件存储、消费类电子产品(如智能手表、穿戴设备)的代码存储,以及车载电子设备中的日志记录和参数存储等场景。此外,它也适用于需要高可靠性和长期稳定性的医疗设备和安防系统。

替代型号

GD5F2GQ4UAYIG, MX35LF2GE4AD, FS08N2GA0ML1501

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W29N02GVSIAA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP