存储容量：1 Gbit
　　存储类型：NAND 闪存
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：56-TSOP
　　最大读取速度：120 MHz
　　最大编程/擦除速度：100,000 次
　　数据保持时间：10 年

W29N01HZBJNF 具备多种高性能特性，适用于复杂的应用场景。其 SPI 接口提供了灵活的连接方式，同时降低了主控芯片的负担。该芯片支持高速读取操作，最大读取速度可达 120 MHz，显著提升了数据传输效率。此外，W29N01HZBJNF 还支持多达 100,000 次的编程/擦除周期，确保了存储设备的耐用性和可靠性。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，使其能够在多种电源条件下稳定运行。芯片的封装形式为 56-TSOP，适合在空间受限的电路板上安装。
　　在数据存储方面，W29N01HZBJNF 提供了 1 Gbit 的大容量存储空间，能够满足嵌入式系统对程序和数据存储的需求。其数据保持时间长达 10 年，即使在断电情况下也能确保数据的长期完整性。此外，该芯片还支持多种保护机制，包括硬件写保护和软件写保护，有效防止了意外数据丢失或损坏。
　　在温度适应性方面，W29N01HZBJNF 能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内正常工作，非常适合在工业环境、汽车电子系统以及其他恶劣环境中使用。这使得该芯片能够广泛应用于各类高要求的电子设备中。

W29N01HZBJNF 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车电子、智能卡、物联网设备以及手持设备等需要大容量非易失性存储的场景。由于其高速读写能力和宽温工作特性，该芯片非常适合用于数据存储、程序存储以及固件更新等关键任务应用。此外，W29N01HZBJNF 还可用于需要长期数据保存的设备中，例如数据记录仪、监控设备和医疗电子设备。

W29N01HVSANN,W29N01GVSIAA