存储类型：NAND闪存
　　存储容量：1Gbit (128MB)
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　时钟频率：80MHz (最大)
　　数据传输速率：80MHz 时可达 64MB/s
　　页面大小：2KB
　　块大小：64KB
　　支持ECC纠错功能：是

W29N01HVSINF TR NAND闪存芯片采用了先进的SLC NAND技术，具有较长的擦写寿命和较高的数据可靠性。该芯片内置ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，确保数据完整性。其SPI接口设计简化了与主控芯片的连接，降低了系统复杂度，并支持高速数据传输。
　　该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于多种电源环境，并具有良好的功耗管理能力，适合电池供电设备使用。此外，W29N01HVSINF TR支持多种操作模式，包括连续读取、页编程、块擦除等，提供灵活的存储管理方式。
　　该芯片还内置了多种保护机制，如写保护（Write Protect）、状态寄存器锁定等，防止数据被意外修改或擦除，提高了系统的稳定性。其TSOP封装形式具有较小的封装体积，适用于空间受限的嵌入式设备。
　　此外，W29N01HVSINF TR在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下工作，能够适应各种严苛环境，广泛应用于工业控制、智能卡、数据采集设备等。

W29N01HVSINF TR 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、智能仪表、数据记录器、无线通信模块、固件存储等场景。由于其高可靠性和SPI接口的便利性，它也常被用于需要固件存储和数据日志记录的设备中。

W25N01GVJSI-12