时间：2025/8/21 7:08:08
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W29N01HVDINA是一款由Winbond公司生产的1Gb (128MB x 8) NAND型闪存存储器芯片，采用先进的制造工艺，具有高性能和低功耗的特点。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备和便携式电子设备中，支持高密度数据存储和快速数据读写。W29N01HVDINA具有1.8V单电源供电设计，适用于多种工作环境，并具备较高的可靠性和稳定性。
容量：1Gb
存储类型：NAND Flash
数据宽度：8位
电源电压：1.8V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取时间：最大70ns
接口类型：并行 NAND 接口
擦除块大小：128KB
页面大小：512B + 16B (备用区)
编程时间：典型值200μs/页
擦除时间：典型值2ms/块
W29N01HVDINA是一款高性能的NAND闪存芯片，其主要特性包括低功耗、高存储密度和快速读写能力。该芯片采用1.8V单电源供电设计，有效降低了功耗，适用于电池供电设备和便携式电子产品。其并行NAND接口提供了高速数据传输能力，支持快速读取、编程和擦除操作。此外，该芯片支持坏块管理，能够在出厂时标记坏块，确保用户在使用过程中避免访问不可靠的存储区域，提高了系统的稳定性和数据完整性。
这款芯片还具备良好的耐用性和数据保持能力，可支持高达10万次的擦写周期，并能够在断电情况下保持数据长达10年。其封装形式为TSOP，适用于SMT（表面贴装技术）工艺，便于自动化生产和安装。W29N01HVDINA适用于多种嵌入式应用，包括智能卡、工业控制设备、通信模块和消费类电子产品。
W29N01HVDINA广泛应用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统和消费类电子产品。典型应用场景包括固态存储模块、嵌入式控制系统、智能卡终端、通信设备、医疗仪器、工业控制面板和便携式电子设备。该芯片的高可靠性、低功耗特性和广泛的温度适应能力，使其特别适用于对稳定性和数据完整性要求较高的工业和车载应用。
W29N01GVSIAA
MT29F1G08ABAFAP
Samsung K9F1G08U0A
