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W29N01HVDINA TR 发布时间 时间:2025/8/20 14:39:19 查看 阅读:10

W29N01HVDINA TR 是一款由 Winbond 公司生产的 NAND 闪存芯片,其容量为 1Gb(128MB),采用 x8 I/O 接口,支持 SPI 和 NAND 接口模式。这款芯片专为高密度数据存储应用设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。W29N01HVDINA TR 以其高可靠性、低功耗和高性能而著称,适用于需要大容量存储和快速数据访问的场景。

参数

容量:1Gb(128MB)
  接口类型:x8 I/O,支持 SPI 和 NAND 模式
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取速度:最高可达 104MHz
  编程/擦除速度:快速编程和块擦除功能
  存储器类型:NAND 闪存

特性

W29N01HVDINA TR 的主要特性包括支持多种接口模式(SPI 和 NAND),使其在不同系统设计中具有较高的灵活性。该芯片具备低功耗设计,适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其高密度存储能力使其适用于固件存储、数据记录和代码存储等用途。此外,W29N01HVDINA TR 内置纠错功能,提高了数据存储的可靠性。该芯片还支持块保护功能,防止意外写入或擦除操作,确保关键数据的安全性。
  在性能方面,W29N01HVDINA TR 提供了高速数据读取能力,支持高达 104MHz 的时钟频率,确保快速访问存储数据。它还支持多种命令集,包括读取、写入、擦除和状态查询等功能,方便开发者进行系统集成。其 SPI 接口模式支持单线、双线和四线模式,进一步增强了数据传输的灵活性。
  可靠性方面,W29N01HVDINA TR 经过严格的测试和验证,符合工业级标准,适用于严苛的环境条件。其高耐用性和数据保持能力确保在长期使用中不会出现数据丢失或损坏的情况。该芯片还支持坏块管理功能,自动检测并跳过坏块,提高系统的稳定性和使用寿命。

应用

W29N01HVDINA TR 主要应用于需要高密度存储和可靠数据存储的电子设备,如智能手机、平板电脑、数字相机、便携式媒体播放器等消费电子产品。在工业领域,该芯片可用于数据采集设备、自动化控制系统和工业计算机。此外,它还可用于汽车电子系统,如车载导航、娱乐系统和远程信息处理设备。在通信设备中,W29N01HVDINA TR 可作为固件存储和配置数据存储的解决方案,适用于路由器、交换机和无线基站等设备。

替代型号

W25N01GVZEIG TR, GD5F1GQ4UCYIG TR, MT29F1G01ABBEAH4-IT

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W29N01HVDINA TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥33.15000剪切带(CT)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-VFBGA
  • 供应商器件封装48-VFBGA(8x6.5)