W29EE011P-90N是一款由Winbond(华邦电子)生产的1M位(128K x 8)CMOS Flash存储器芯片,采用标准的32引脚DIP封装。该芯片支持快速读取操作,访问时间低至90纳秒,适用于需要高速存储访问的嵌入式系统和工业控制应用。W29EE011P-90N具备高性能和低功耗特性,是许多老旧设备和控制系统中常用的存储器解决方案。
容量:1M位(128K x 8)
电压范围:5V ± 10%
访问时间:90ns(最大)
封装:32引脚DIP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据保持时间:大于100年
编程/擦除电压:5V
封装类型:PDIP(塑料双列直插式封装)
W29EE011P-90N具有多项优异的性能特点。首先,其快速的访问时间为90ns,能够满足对数据读取速度要求较高的应用场景。其次,该芯片支持5V ± 10%的工作电压范围,具有较好的电源适应性。此外,W29EE011P-90N采用CMOS工艺制造,具备较低的功耗特性,在待机模式下功耗极低,适用于对功耗敏感的设计。该芯片支持页写入和扇区擦除功能,可提高编程效率并延长使用寿命。同时,它具有高可靠性和数据保持能力,即使在恶劣环境下也能稳定工作。其32引脚DIP封装便于插拔和更换,适合原型设计和维修使用。
在可靠性方面,W29EE011P-90N通过了严格的工业标准测试,支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于各种工业和嵌入式系统环境。其数据保持时间超过100年,并支持至少10万次的编程/擦除周期,确保长期稳定运行。
W29EE011P-90N广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品以及老旧计算机外设中。常见的使用场景包括固件存储、系统引导代码存储、数据日志记录等。由于其DIP封装形式,W29EE011P-90N特别适合用于需要插拔更换或现场升级的设备,如测试仪器、工控机、POS终端和医疗设备等。此外,它也常用于开发和调试阶段的原型设计,便于工程师进行程序烧录和修改。
W29EE011P-90I, W29EE011P-12, W29EE011P-70N