容量：8 Mbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　最大时钟频率：80 MHz
　　封装类型：SOIC-8
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取电流：10 mA（典型值）
　　待机电流：10 nA（典型值）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵
　　编程页大小：256 字节
　　扇区大小：4 KB
　　块大小：64 KB
　　擦除时间：最大 3 秒（全片）

W25X80VS1G 具有多个高性能和高可靠性的特性。首先，它支持 SPI 接口，能够以高达 80 MHz 的频率运行，确保了快速的数据传输速率。其次，该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，使其适用于多种电源环境，并且具有良好的电源适应性。
　　该芯片的低功耗设计也是一大亮点，其待机电流仅为 10 nA，非常适合电池供电设备或需要节能的应用场景。在读取操作中，电流消耗仅为 10 mA（典型值），进一步优化了功耗表现。
　　W25X80VS1G 提供了灵活的存储管理功能，支持 4 KB 扇区、64 KB 块以及全片擦除操作，用户可以根据具体需求选择合适的擦除方式。编程页大小为 256 字节，支持高效的写入操作。此外，芯片内置的电荷泵提供编程和擦除所需的电压，无需外部高压电源。
　　
　　W25X80VS1G 采用 SOIC-8 封装，符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种恶劣环境。其高可靠性和紧凑封装使其成为嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备、汽车电子系统等领域的理想选择。

W25X80VS1G 主要应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统，如微控制器（MCU）代码存储、BIOS 存储、固件更新、数据日志记录等场景。其低功耗和高性能特性使其特别适合电池供电设备，如便携式电子设备、智能电表、传感器节点和无线通信模块。此外，该芯片也可用于工业自动化设备、医疗仪器、汽车导航系统和娱乐设备等对存储性能和可靠性要求较高的领域。

W25Q80DV1G, W25X80JV1G