容量：8Mbit
　　接口类型：SPI
　　封装类型：SOIC-8
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取模式：单线、双线、四线
　　最大时钟频率：80MHz
　　擦除块大小：4KB, 32KB, 64KB
　　编程页大小：256 字节
　　可靠性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20 年

W25Q80EWSSIGTR 采用先进的 SPI 接口技术，支持高速数据传输。其四线模式（Quad SPI）可以显著提高数据读写速度，适用于需要快速启动和高效数据存储的应用场景。
　　该芯片支持多种存储块管理功能，包括 4KB、32KB 和 64KB 的擦除块大小，用户可以根据具体需求灵活选择存储区域进行擦除操作。此外，它还支持 256 字节的编程页大小，允许批量写入数据，提高编程效率。
　　在可靠性和耐久性方面，W25Q80EWSSIGTR 支持高达 100,000 次的编程/擦除周期，并且数据保持时间长达 20 年，适合长期存储关键数据。
　　该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适应不同的电源设计需求。同时，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级温度要求，适用于各种恶劣环境。
　　为了简化系统设计，W25Q80EWSSIGTR 提供了多种保护机制，如硬件写保护引脚和软件写保护寄存器，防止意外写入或擦除操作，确保数据的完整性。

W25Q80EWSSIGTR 广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、智能卡终端、工业控制设备以及消费类电子产品中。在需要快速启动和高效存储的场合，例如固件存储、数据记录、配置信息存储等场景中，这款芯片都能发挥出色的性能。
　　由于其支持 Quad SPI 模式，该芯片特别适合用于需要快速访问代码或数据的微控制器系统，例如在智能家居设备、穿戴式设备、医疗设备以及车载电子系统中，用于存储引导代码、固件或用户数据。
　　此外，W25Q80EWSSIGTR 还适用于需要高可靠性和低功耗特性的应用，例如远程传感器节点、无线通信模块和电池供电设备，能够有效延长设备的使用寿命并提升整体性能。

W25Q80JVSSIG, W25Q80BVSSIG, W25Q16JVSSIM