W25Q80BVSNIG TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器芯片,属于其W25Q系列。这款芯片主要应用于需要可靠和高效存储解决方案的嵌入式系统、消费类电子产品和工业设备中。W25Q80BVSNIG TR支持标准的SPI接口,提供高达8Mbit的存储容量,适用于代码存储和数据存储任务。
容量:8Mbit
接口类型:SPI(串行外设接口)
电压范围:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:SOIC(小外形集成电路封装)
最大时钟频率:80MHz
擦除周期:100,000次
编程/擦除电压:内部电荷泵
数据保持时间:20年
W25Q80BVSNIG TR具备多种特性,使其在多种应用中表现出色。首先,它支持高性能的SPI接口,允许快速的数据读取和写入操作。其8Mbit的容量适合存储小型固件或关键数据。此外,芯片提供高达100,000次的擦除周期,确保了长期使用的可靠性。W25Q80BVSNIG TR还具备低功耗设计,适合电池供电设备使用。
该芯片的存储单元具有20年的数据保持能力,即使在恶劣的环境条件下也能保证数据的完整性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。封装采用标准的SOIC形式,便于在PCB上安装和集成。
安全性方面,W25Q80BVSNIG TR支持多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止意外的数据修改或擦除。这些特性使其成为存储关键数据或程序代码的理想选择。
W25Q80BVSNIG TR广泛应用于嵌入式系统中,例如微控制器的外部存储器扩展、固件存储、数据记录设备等。其高可靠性和工业级工作温度范围也使其适用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品。在需要存储代码或数据的小型设备中,该芯片提供了经济高效的解决方案。
W25Q80BVSNIG TR的替代型号包括Winbond的W25Q80DVSNIG TR以及类似规格的SPI NOR Flash芯片,如Microchip的SST25VF080B-10-4I-S2AF或GigaDevice的GD25Q80BSIG。