容量：64M-bit（8MB）
　　接口：标准SPI
　　工作电压：2.3V至3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：8-SOIC
　　时钟频率：最高可达104MHz（在双输出模式下）
　　擦除块大小：4KB、32KB、64KB及全片擦除
　　编程页大小：256字节
　　写保护功能：硬件和软件写保护
　　JEDEC标准：支持JEDEC JESD216标准

W25Q64JVSSJM TR 具备多项先进特性，确保其在各类应用中的高性能和可靠性。首先，该芯片支持高速SPI接口，在双输出模式下可实现高达104MHz的时钟频率，显著提升数据传输效率。其次，其低功耗设计适用于电池供电设备，工作电流典型值为5mA（读取模式），待机电流仅为5uA，有助于延长设备续航时间。
　　该芯片提供灵活的存储管理功能，支持多种擦除粒度，包括4KB、32KB、64KB扇区擦除以及全片擦除，满足不同应用场景下的数据更新需求。同时，W25Q64JVSSJM TR 支持页编程（256字节/页），具备高效的写入能力。为了确保数据安全性，芯片内置硬件写保护引脚和软件写保护寄存器，防止意外写入或擦除操作。
　　此外，该芯片符合JEDEC JESD216标准，具备良好的兼容性，适用于多种主控芯片。其8-SOIC封装形式体积小巧，便于集成于空间受限的设计中。整体来看，W25Q64JVSSJM TR 是一款功能全面、性能优异的串行闪存解决方案。

W25Q64JVSSJM TR 主要应用于需要中等容量非易失性存储的电子设备中。典型应用包括固件存储（如微控制器程序存储）、数据日志记录、图像和音频存储、传感器数据缓冲、工业控制系统配置存储等。在消费类电子产品中，如智能手表、穿戴设备、无线耳机等，该芯片可用于存储系统引导代码或用户数据。在工业控制和物联网设备中，W25Q64JVSSJM TR 可用于记录设备运行参数、存储配置信息或实现远程固件升级（OTA）。此外，由于其高可靠性和宽温工作范围，也适用于车载电子、安防监控、医疗设备等对稳定性要求较高的场合。

W25Q64JVSSIQ, W25Q64JVZPIP, W25Q64FVSSIM, W25Q64JVUXIQ