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W25Q32JVSSJM TR 发布时间 时间:2025/8/20 10:10:23 查看 阅读:9

W25Q32JVSSJM TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为32Mbit(4MB),采用标准的SPI(串行外设接口)进行通信。该芯片广泛应用于需要代码存储和数据存储的嵌入式系统中,如网络设备、工业控制设备、消费电子产品和汽车电子。W25Q32JVSSJM TR 采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于表面贴装工艺,适合在工业级温度范围内(-40°C 至 +85°C)工作,具有良好的环境适应性和稳定性。

参数

容量:32Mbit(4MB)
  接口:SPI
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8 引脚 SOIC
  读取频率:最高 80MHz
  编程/擦除电压:3V
  存储单元大小:页大小为 256 字节
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 和整片擦除
  JEDEC 标准:支持
  写保护功能:软件和硬件写保护
  

特性

W25Q32JVSSJM TR 具有多种先进的功能,使其在众多串行闪存解决方案中脱颖而出。首先,该芯片支持高速SPI接口,最高可达80MHz的时钟频率,使得数据读取和写入速度非常高效,特别适合需要快速启动和频繁数据更新的应用场景。
  其次,W25Q32JVSSJM TR 提供灵活的存储器组织结构,包括可变块大小的擦除选项(4KB、32KB、64KB 和整片擦除),允许用户根据具体需求进行优化存储管理。此外,该器件内置的页编程功能支持单页256字节的数据写入,提升了数据写入效率。
  在功耗方面,W25Q32JVSSJM TR 设计为低功耗运行,支持多种节能模式,如掉电模式和待机模式,非常适合对能耗敏感的便携式设备和物联网应用。
  安全性方面,该芯片提供硬件和软件写保护机制,防止意外数据写入或擦除。同时,它还支持JEDEC标准的ID识别码和唯一ID功能,便于系统识别和管理。
  最后,W25Q32JVSSJM TR 采用工业级温度范围设计(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛环境下的稳定运行。

应用

W25Q32JVSSJM TR 主要应用于需要中等容量非易失性存储器的嵌入式系统。典型应用包括固件存储(如微控制器的启动代码)、数据日志记录、图形存储、配置数据保存以及网络设备中的代码和数据存储。
  在消费电子领域,它常用于智能家电、可穿戴设备和智能手表中,用于存储系统固件和用户配置数据。
  在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业自动化设备和传感器模块中,实现程序和数据的可靠存储。
  此外,W25Q32JVSSJM TR 还广泛应用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、仪表盘控制器和远程信息处理模块,满足汽车级可靠性和稳定性要求。
  由于其高集成度和低功耗特性,该芯片也适用于物联网设备和无线通信模块,如Wi-Fi模块、蓝牙模块和ZigBee模块等,用于存储固件和关键数据。

替代型号

MX25R3235FZNI-12G, SST25VF032B-100-3C-LDCE, ISSI IS25LP032D-JBLL

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W25Q32JVSSJM TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织4M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC