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W25Q257FVFIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:46:24 查看 阅读:15

W25Q257FVFIQ-TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)芯片,属于 W25Q 系列。该芯片采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,具备高速读写能力,适用于各种嵌入式系统和存储应用。W25Q257FVFIQ-TR 的存储容量为 256Mbit(32MB),支持多种读写模式,包括单线、双线、四线 SPI 模式,以满足不同的系统需求。该芯片采用 8 引脚的 WSON(Very Thin Small Outline No-lead)封装,适用于空间受限的应用场景。

参数

容量:256Mbit(32MB)
  接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装类型:8-WSON(5x6mm)
  最大时钟频率:80MHz(可变)
  读取模式:标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI
  写保护功能:硬件写保护、软件写保护
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB、全芯片擦除
  编程时间:约1.2ms(每页)

特性

W25Q257FVFIQ-TR 具备多项高性能和低功耗特性,适用于多种应用场景。其主要特性包括高速读写能力、多种 SPI 模式支持、灵活的存储管理、低功耗设计以及高可靠性。
  首先,该芯片支持多种 SPI 模式,包括标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI 模式,能够显著提高数据传输速率。在 Quad SPI 模式下,数据传输速度可达 80MHz,适用于需要快速读写操作的应用场景,如固件存储、图形数据缓存等。
  其次,W25Q257FVFIQ-TR 提供了灵活的存储管理功能,支持多种擦除操作模式,包括 4KB、32KB、64KB 块擦除和全芯片擦除。此外,芯片内部集成了页编程功能,每页大小为 256 字节,编程时间约为 1.2ms,适用于频繁更新数据的应用。
  在功耗方面,该芯片具备低功耗运行和待机模式,适用于电池供电设备和低功耗嵌入式系统。待机模式下的电流消耗极低,有助于延长设备的续航时间。
  此外,W25Q257FVFIQ-TR 还具备写保护功能,包括硬件写保护引脚和软件写保护命令,能够有效防止误写入和误擦除操作,确保关键数据的安全性。芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级环境下的稳定运行。
  综上所述,W25Q257FVFIQ-TR 是一款功能强大、性能稳定的串行闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、消费电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域。

应用

W25Q257FVFIQ-TR 广泛应用于各种需要非易失性存储的电子设备和系统中。常见的应用场景包括嵌入式系统的固件存储、物联网设备的数据缓存、消费类电子产品(如智能手表、智能家居设备)中的程序和数据存储、工业控制设备中的参数配置存储、以及汽车电子中的车载信息娱乐系统和仪表盘控制系统等。
  此外,该芯片也适用于需要快速读取和频繁更新数据的应用,例如图形显示缓存、日志记录存储以及无线通信模块的配置信息存储等。由于其低功耗特性和多种封装选项,W25Q257FVFIQ-TR 非常适合用于便携式设备和电池供电系统,确保设备在有限电源条件下的稳定运行。

替代型号

W25Q256JVFIQ-TR, MX25L25645G, SST25VF032B, GD25Q256

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W25Q257FVFIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC