时间：2025/8/21 4:27:09
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W25Q256JVFIM TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存（Serial Flash）芯片，属于其高性能、低功耗的SPI NOR Flash系列。这款芯片的存储容量为256Mbit（32MB），采用标准的SPI（Serial Peripheral Interface）、Dual SPI和Quad SPI接口，适用于需要高密度、快速读写和可靠存储的嵌入式系统应用。该芯片采用8引脚或16引脚的SOIC或WSON封装，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C）。W25Q256JVFIM TR广泛用于固件存储、数据记录、代码启动、配置存储等场景。
容量：256Mbit（32MB）
接口类型：SPI，Dual SPI，Quad SPI
工作电压：2.7V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：8引脚SOIC或WSON
读取速度：最大120MHz（Quad SPI模式）
写入速度：页编程时间约0.6ms（典型值）
擦除时间：块擦除时间为50ms（典型值）
擦除块大小：4KB、32KB、64KB及全片擦除
存储单元可靠性：10万次擦写周期，数据保存20年
W25Q256JVFIM TR具备多项高性能特性。其Quad SPI接口支持四线数据传输，显著提升读写速度，适用于需要高速数据访问的应用场景。芯片内部采用高性能的浮栅技术，确保数据存储的稳定性和可靠性。其支持多种擦除模式，包括4KB、32KB、64KB的小块擦除和全片擦除，灵活性高，满足不同存储管理需求。
该芯片内置写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护引脚（WP#），防止误擦写和误编程。此外，它支持JEDEC标准ID读取，便于系统识别和兼容性设计。芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流极低，适用于对功耗敏感的应用，如便携式设备和物联网（IoT）终端。
W25Q256JVFIM TR还支持工作电压范围较宽（2.7V至3.6V），适用于多种电源设计。其具备高耐久性，可承受高达10万次的编程/擦除周期，数据保持时间长达20年。芯片符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子应用。
W25Q256JVFIM TR常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，例如微控制器单元（MCU）的外部程序存储器、现场可编程门阵列（FPGA）的配置存储、数字信号处理器（DSP）的固件存储等。它还适用于智能卡、工业控制设备、通信模块、汽车电子系统以及各种消费类电子产品，如智能穿戴设备、路由器和智能家电等。
在物联网设备中，该芯片可用于存储传感器数据、设备配置信息和系统日志。此外，它也适用于需要安全启动和固件更新的系统，提供可靠的存储支持。其高速接口和低功耗特性使其在无线通信模块、Wi-Fi接入点和蓝牙设备中广泛应用。
W25Q256JVFIQ TR, W25Q256JVEIQ TR, SST25VF032B, MX25L25645G
