W25Q256JVEIQTR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于其 W25Q 系列产品。该芯片的存储容量为 256Mbit(即 32MB),适用于需要非易失性存储器的应用场景,例如固件存储、数据日志记录和代码存储等。W25Q256JVEIQTR 支持标准 SPI、双输出 SPI、四输出 SPI 和 QPI 接口模式,使其在数据读写速度方面具有优势。该器件采用 8 引脚 SOIC 封装,适合工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于各种工业和消费类电子产品。
容量:256Mbit
电压范围:2.3V 至 3.6V
接口类型:SPI、Dual SPI、Quad SPI、QPI
封装类型:SOIC-8
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
时钟频率:最高可达 80MHz(SPI)和 160MHz(QPI)
擦除块大小:4KB、32KB、64KB 及全片擦除
写保护功能:软件和硬件写保护
数据保持时间:大于 20 年
擦写次数:100,000 次
W25Q256JVEIQTR 具有多种先进特性,使其在各种嵌入式系统和存储应用中表现出色。首先,该芯片支持多种接口模式,包括标准 SPI、双输出 SPI、四输出 SPI 和 QPI(四通道外围接口),这大大提高了数据传输速率和系统灵活性。其次,W25Q256JVEIQTR 提供灵活的存储管理功能,支持多种擦除块大小,包括 4KB、32KB、64KB 以及全片擦除,满足不同应用对数据更新粒度的需求。
此外,W25Q256JVEIQTR 集成了软件和硬件写保护功能,确保关键数据不会被意外修改或擦除,提高了系统的可靠性。其高耐用性(100,000 次擦写周期)和长达 20 年的数据保持能力,使它非常适合用于需要频繁更新和长期数据存储的应用场景。
该器件采用节能设计,支持多种低功耗模式,如待机模式和掉电模式,适用于对功耗敏感的应用。同时,其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)和小尺寸 SOIC-8 封装使其适用于工业级环境和空间受限的设计。
W25Q256JVEIQTR 广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中。例如,它常用于物联网(IoT)设备中的固件存储和数据缓存,确保设备在断电后仍能保留重要数据。在工业自动化领域,W25Q256JVEIQTR 可用于存储配置参数、校准数据和运行日志等信息。此外,该芯片也广泛用于消费电子产品,如智能穿戴设备、无线路由器和智能家电,用于存储启动代码、用户设置和更新的固件。
由于其高速接口支持,W25Q256JVEIQTR 还适合用于需要快速读取大量数据的应用,如图像存储和实时数据记录。在汽车电子系统中,它可以作为外部存储器,用于存储导航地图、诊断数据或车载娱乐系统内容。
W25Q256JVFIQTR, W25Q256JVSIMTR, W25Q256JVSSIQTR