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W25Q256JVEIM TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:08:50 查看 阅读:7

W25Q256JVEIM TR是由Winbond公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于其W25Q系列的一部分。这款闪存芯片的容量为256Mbit,等效于32MB,适用于需要非易失性存储的应用场景,例如固件存储、数据记录和嵌入式系统。该芯片采用标准的SPI(串行外设接口)进行通信,支持多种高速模式,包括双输出、四输出SPI(Dual/Quad SPI),从而显著提高了数据传输速率。W25Q256JVEIM TR封装为8引脚的SOIC(小外形集成电路)封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保其在各种恶劣环境下的可靠性。

参数

容量:256Mbit
  工作电压:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI,支持Dual/Quad SPI
  读取频率:最高可达80MHz
  擦除类型:扇区、块、全片擦除
  写保护功能:软件和硬件写保护
  封装类型:8-SOIC
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W25Q256JVEIM TR具备多项高级特性,使其在嵌入式系统和其他存储应用中表现出色。首先,该芯片支持多种SPI模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,这使得数据的读写速度可以显著提高,尤其是在Quad SPI模式下,数据吞吐量可以达到非常高的水平。此外,W25Q256JVEIM TR具有灵活的擦除功能,支持不同大小的扇区擦除(如4KB、32KB、64KB)以及全片擦除,允许用户根据具体应用需求进行优化,减少不必要的擦除操作。
  该芯片还具备低功耗特性,在多种工作模式下(如待机模式、掉电模式)可以显著降低功耗,非常适合电池供电设备或需要节能设计的应用场景。此外,它还内置了写保护功能,包括软件写保护和硬件写保护(通过WP引脚),有效防止意外写入或擦除操作,提高数据安全性。
  在可靠性方面,W25Q256JVEIM TR具有高耐久性和数据保持能力,支持高达10万次的擦写周期,并且数据保存时间可达20年以上。这使得它在长期运行的工业控制、通信设备和消费电子产品中表现出色。

应用

W25Q256JVEIM TR广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,包括但不限于工业控制系统、网络设备、通信模块、物联网(IoT)设备、智能卡终端、家用电器以及汽车电子系统。由于其高速SPI接口和大容量存储能力,它常被用于存储固件、配置数据、日志信息或其他需要非易失性存储的数据。在物联网设备中,W25Q256JVEIM TR可以用于存储传感器数据、设备配置信息和固件更新内容。在汽车电子领域,它可以用于存储车载系统的关键参数和诊断信息。

替代型号

W25Q256JVFIQ TR, W25Q256JVFIM TR, W25Q256JVFM TR

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W25Q256JVEIM TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格4,000 : ¥18.00653卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)