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W25Q256FVBIF TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:40:19 查看 阅读:10

W25Q256FVBIF TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),容量为256Mbit(32MB)。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,支持多种高速模式,适用于需要大容量非易失性存储器的应用场景。W25Q256FVBIF TR 采用 8 引脚 SOP 或 WSON 封装,适合用于嵌入式系统、工业控制、消费电子、网络设备等领域。该芯片支持多种安全保护功能,包括软件和硬件写保护、顶部/底部保护、一次性可编程(OTP)区域等,确保数据存储的安全性。

参数

容量:256Mbit(32MB)
  接口类型:SPI(最大频率可达104MHz)
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  封装类型:8-SOP / 8-WSON
  存储结构:每页256字节,每块64KB,每扇区4KB
  写保护功能:支持软件和硬件写保护
  支持双输出/四输出模式(Dual/Quad I/O)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  支持一次性可编程(OTP)区域

特性

W25Q256FVBIF TR 具备多项先进特性,使其在众多闪存芯片中脱颖而出。
  首先,其高速SPI接口支持高达104MHz的时钟频率,在高速模式下可显著提升数据读写效率。此外,该芯片支持 Dual I/O 和 Quad I/O 模式,通过多个数据线同时传输数据,进一步提升传输速率,适用于需要快速访问存储内容的应用场景。
  其次,该芯片具备优异的可靠性与耐久性,擦写次数高达10万次,数据保存时间可达20年,适用于对数据稳定性要求较高的工业与嵌入式系统。芯片内部支持多种写保护机制,包括软件写保护、硬件写保护(通过WP引脚)、顶部/底部保护以及OTP区域保护,有效防止误写和恶意篡改。
  此外,W25Q256FVBIF TR 支持多种电源管理模式,包括低功耗待机模式和掉电模式,有助于降低系统整体功耗,适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景。
  该芯片还具备良好的环境适应性,工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业环境和户外设备中使用。

应用

W25Q256FVBIF TR 适用于多种嵌入式系统和数据存储应用场景。其高容量和高速接口使其成为固件存储、图像缓存、数据日志记录等应用的理想选择。
  在工业控制领域,该芯片可用于存储系统配置、校准数据和操作日志,并通过其写保护功能确保关键数据的安全性和完整性。
  在消费电子产品中,如智能手表、智能家居设备、音频播放器等,W25Q256FVBIF TR 可用于存储固件更新、用户设置和临时数据缓存。
  在通信设备中,该芯片可用于存储网络配置、固件和安全密钥,支持快速启动和稳定运行。
  此外,该芯片也广泛应用于汽车电子系统,如仪表盘控制、车载娱乐系统和远程信息处理设备,满足车载环境中对可靠性和耐久性的严苛要求。

替代型号

MX25U25673F/MX25R25635FZNI, GD25Q256CSIG, A25L256/D25L256

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W25Q256FVBIF TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)