时间：2025/8/20 9:40:19
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W25Q16JVSSIQTR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片，属于其 W25Q 系列产品线。该芯片的存储容量为 16Mbit（即 2MB），采用标准的 SPI（Serial Peripheral Interface）接口进行数据通信，适用于各种嵌入式系统和便携式设备。W25Q16JVSSIQTR 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有高可靠性和良好的工业级性能，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合工业环境应用。该芯片广泛用于存储代码、数据和固件，尤其在需要快速读取和写入操作的场景中表现优异。
容量：16Mbit (2MB)
接口类型：SPI
封装类型：8-SOIC
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：80MHz
写入速度：80MHz
擦除时间：120ms（最大）
编程时间：3ms（最大）
待机电流：10uA（最大）
读取电流：10mA（典型）
写入/擦除电流：20mA（典型）
W25Q16JVSSIQTR 是一款专为高性能嵌入式系统设计的非易失性存储器芯片，具备多项先进特性。首先，该芯片采用 Winbond 的高性能 Flash 技术，支持高速读取和写入操作，最大读取频率可达 80MHz，适用于需要快速加载和执行代码的应用场景。此外，它支持多种工作模式，包括标准 SPI、双输出 SPI 和四输出 SPI 模式，用户可以根据系统需求选择合适的通信方式，以提高数据传输效率。
该芯片内置高可靠性设计，支持超过 10 万次的擦写周期（P/E Cycles），并具有 20 年的数据保持能力，确保长期稳定运行。W25Q16JVSSIQTR 还支持多个安全功能，包括软件和硬件写保护机制，防止意外数据写入或擦除，确保关键数据的安全性。同时，它还支持 JEDEC 标准 ID 读取功能，便于系统识别和兼容性管理。
低功耗是该芯片的另一大优势。在待机模式下，电流消耗仅为 10uA，非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，兼容多种电源管理系统，增强了设计的灵活性。
W25Q16JVSSIQTR 被广泛应用于各类嵌入式系统和电子产品中，如微控制器（MCU）系统、FPGA 配置存储、WiFi 模块固件存储、传感器数据记录、工业控制设备、消费类电子产品以及车载电子系统等。其高速读写能力和低功耗特性使其成为物联网（IoT）设备、智能穿戴设备和无线通信模块的理想选择。
W25Q16JVSSIM TR, W25Q16JVXXIM TR, W25Q16JVSSIG TR, AT25SF161A, MX25R1635F
