W25Q16JVSSIQT 是 Winbond(华邦电子)推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为16Mbit(即2MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备和物联网设备中,适用于代码存储、数据存储以及固件更新等场景。W25Q16JVSSIQT 采用 8 引脚的 SOIC 封装,支持多种工作电压(2.7V 至 3.6V 或 1.65V 至 3.6V 的宽电压范围,具体取决于型号),具备高可靠性和稳定性。
容量:16Mbit
接口:SPI
封装类型:SOIC-8
工作电压:2.7V 至 3.6V 或 1.65V 至 3.6V(具体取决于配置)
读取速度:最高可达 80MHz
编程/擦除速度:页编程时间约 0.6ms,扇区擦除时间约 50ms
存储结构:256 页 × 256 字节,每页可独立编程;64KB 扇区、4KB 子扇区擦除
工作温度范围:-40°C 至 +85°C 或 -40°C 至 +125°C(根据后缀不同)
W25Q16JVSSIQT 具备多种先进特性,确保其在复杂应用环境中的稳定性和高效性。首先,它支持高速 SPI 接口,最高可达 80MHz 的时钟频率,使得数据读取和写入速度大幅提升,满足实时系统的需求。其次,该芯片提供灵活的存储管理功能,支持 64KB 扇区擦除和 4KB 子扇区擦除,允许用户对存储空间进行精细控制,从而优化存储效率。
此外,W25Q16JVSSIQT 支持 JEDEC 标准的识别指令,便于系统识别和兼容性设计。芯片内置的写保护机制(包括软件写保护和硬件写保护引脚)可有效防止误写和误擦除,提高数据安全性。同时,它还支持掉电检测功能,在电源不稳定或突然断电时,可自动保护正在写入的数据,减少数据丢失的风险。
在功耗管理方面,W25Q16JVSSIQT 提供多种低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,适合用于对功耗敏感的应用场景,如电池供电设备和移动设备。其高可靠性设计(擦写次数可达 100,000 次,数据保存时间可达 20 年)也使其适用于需要长期稳定运行的工业控制系统。
W25Q16JVSSIQT 主要用于需要代码存储、固件更新和数据存储的嵌入式系统中。典型应用包括微控制器(MCU)启动代码存储、图像数据存储(如 TFT-LCD 显示模块)、网络设备固件存储、工业控制系统的配置信息存储以及物联网(IoT)设备的本地数据缓存。由于其高速 SPI 接口和灵活的擦写功能,该芯片也常用于需要频繁更新或存储数据的智能卡、电子书、可穿戴设备和安防监控设备。
此外,W25Q16JVSSIQT 还可用于车载电子系统,如车载导航、车载娱乐系统和远程信息处理设备中,用于存储启动代码、配置参数和系统日志。在消费类电子产品中,该芯片被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机等设备中,作为外部存储器来扩展主控芯片的存储容量。
W25Q16JVSSIQ, W25Q16JVSSIM, W25Q16JVSQ, AT25SF161, SST25VF016B, MX25R1635F