W25Q16JVSSIQ-TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),其容量为 16M-bit(即 2MB)。该芯片采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,支持多种高速模式,包括 Dual SPI 和 Quad SPI,使其在嵌入式系统、消费电子和工业控制等应用中广泛使用。该器件封装为 8 引脚的 SOIC(Small Outline Integrated Circuit),适合在空间受限的 PCB 设计中应用。W25Q16JVSSIQ-TR 的工作温度范围为工业级标准(-40°C 至 +85°C),适合在严苛环境中稳定运行。
容量:16M-bit(2MB)
接口类型:SPI
支持模式:Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI
工作电压:2.3V - 3.6V
时钟频率:最高支持 80MHz(Quad SPI 模式下)
封装类型:8-SOIC
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
写保护功能:支持硬件写保护和软件写保护
擦除块大小:4KB, 32KB, 64KB 和整片擦除
编程/擦除耐久性:100,000 次循环
数据保存时间:10 年
W25Q16JVSSIQ-TR 的一大优势在于其高性能和低功耗的结合。在正常读取模式下,其电流消耗仅为几毫安,而在待机或掉电模式下,电流可降至微安级别,非常适合电池供电设备。该芯片支持多种擦除方式,包括按扇区(4KB)、块(32KB/64KB)以及整片擦除,允许用户灵活管理存储内容。
此外,该芯片支持 Quad SPI 模式,使得数据传输速率大幅提升,适合用于需要快速读取代码或大量数据的应用场景,例如代码存储(XIP, Execute In Place)或固件更新。芯片内置的写保护机制可防止意外写入或擦除,确保数据的安全性。
为了适应不同应用场景的需求,W25Q16JVSSIQ-TR 提供了多种软件和硬件控制命令,包括状态寄存器配置、写入使能/禁止、读取状态寄存器等功能,使得开发者可以更精确地控制芯片的行为。同时,该器件具有高可靠性和长寿命,具备 10 万次编程/擦除周期和 10 年的数据保持能力。
W25Q16JVSSIQ-TR 主要应用于需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统,如微控制器(MCU)外置程序存储器、现场可编程门阵列(FPGA)配置存储、图像数据存储、Wi-Fi 模块固件存储等。由于其高速接口和低功耗特性,该芯片也广泛用于物联网(IoT)设备、穿戴式电子产品、智能家居控制器、工业自动化设备以及车载电子系统。
在现代嵌入式系统中,越来越多的应用采用 XIP(就地执行)模式,将代码直接从外部闪存运行,而无需加载到内部 RAM。W25Q16JVSSIQ-TR 支持高速 Quad SPI 模式,非常适合这种应用场景,有助于简化系统设计、节省内部存储资源,并提升整体性能。
此外,该芯片还可用于存储系统配置信息、校准数据、语音、图像等非易失性数据,适用于需要长期保存且偶尔更新的场合。
AT25SF161, MX25R1635F, SST25VF016B, IS25LP160D