容量：16Mbit (2MB)
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　接口类型：SPI（Standard Serial Peripheral Interface）
　　读取频率：80MHz
　　编程/擦除电压：内部电荷泵
　　编程页大小：256 字节
　　擦除块大小：4KB、32KB、64KB 和整片擦除
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC 或 WSON

W25Q16DWYS06 是一款高性能的串行 NOR Flash 存储器，具备高速读取能力，最高支持 80MHz 的 SPI 时钟频率，确保快速的数据存取。该芯片支持多种擦除模式，包括 4KB 小块擦除、32KB 和 64KB 大块擦除以及整片擦除，允许用户根据应用需求灵活选择擦除粒度，从而优化存储管理并延长芯片使用寿命。
　　在编程方面，W25Q16DWYS06 支持单页编程，每页大小为 256 字节，编程时间短，且具有自动编程和验证功能，确保数据写入的准确性。此外，芯片内置写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护引脚（WP#），有效防止意外写入或擦除操作，提高数据安全性。
　　W25Q16DWYS06 的低功耗设计使其在待机模式下的功耗极低，非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，兼容多种电源管理系统，并支持宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和车载应用。
　　此外，该芯片支持 JEDEC 标准的 ID 识别指令，方便主控芯片识别存储器型号，并具备唯一的 64 位出厂序列号功能，适用于设备身份识别和安全认证。

W25Q16DWYS06 适用于多种嵌入式系统和电子设备，包括但不限于：工业控制系统、智能仪表、医疗设备、消费电子产品（如 Wi-Fi 模块、蓝牙设备）、汽车电子系统、安防设备以及固件存储模块。由于其高速、低功耗和多种擦除编程模式的特性，它也常用于需要频繁更新数据或代码的应用场景。

W25Q16JV0IQ, W25Q16JVSS06, W25Q16JVZP06