W25Q16DWSNAG 是 Winbond 公司生产的一款串行闪存芯片,属于其 W25Q 系列。该芯片的存储容量为 16Mbit(即 2MB),支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI 操作模式,适用于各种嵌入式系统和存储扩展应用。该芯片采用 8 引脚的 SOIC 封装,工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C,适合在恶劣环境下运行。W25Q16DWSNAG 是一款高性能、低功耗的非易失性存储器,广泛用于数据存储、固件存储、代码启动等多种应用场景。
容量:16Mbit (2MB)
电压范围:2.3V - 3.6V
接口类型:SPI (支持标准、Dual、Quad 模式)
最大时钟频率:80MHz (SPI 模式下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8 引脚 SOIC
擦除块大小:4KB、32KB、64KB
写保护功能:软件和硬件写保护
编程/擦除周期:100,000 次以上
数据保存时间:超过 20 年
W25Q16DWSNAG 芯片具备多项先进的功能,首先是其支持多种 SPI 模式(标准、Dual、Quad),使得数据传输速率大幅提升,尤其在 Quad 模式下,可以实现四倍于传统 SPI 模式的吞吐量,非常适合需要快速读取或写入数据的应用场景。
其次,该芯片内部采用页编程机制,每页大小为 256 字节,用户可以通过页编程命令实现高效的写入操作。此外,芯片支持多种擦除粒度,包括 4KB 扇区擦除、32KB 和 64KB 块擦除,甚至全片擦除,提供了极大的灵活性,方便用户根据实际需求管理存储空间。
在数据保护方面,W25Q16DWSNAG 提供了软件和硬件写保护功能,防止意外写入或擦除操作,确保关键数据的安全性。此外,芯片内部集成状态寄存器,用户可以通过读取状态寄存器了解当前芯片是否处于忙碌状态、写保护是否启用、以及擦除或编程是否成功等信息。
该芯片还具备低功耗特性,支持多种省电模式,包括休眠模式和待机模式,特别适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其兼容多种电源系统,增强了其在不同设计中的适应性。
最后,W25Q16DWSNAG 采用 8 引脚 SOIC 封装,体积小巧,便于 PCB 布局,并且具备工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),可以在各种恶劣环境下稳定运行。
W25Q16DWSNAG 芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、智能仪表、通信设备、消费电子产品、汽车电子以及物联网(IoT)设备等领域。具体应用包括固件存储、程序代码启动、数据记录、图形存储、配置信息保存等场景。由于其高速 SPI 接口和低功耗特性,该芯片非常适合用于需要快速启动和频繁数据更新的设备,如智能家居控制器、穿戴式设备、无线传感器节点等。此外,其工业级温度范围和高可靠性也使其成为工业自动化和车载电子系统的理想选择。
W25Q16JVSSIQ, W25Q16JVSNIG, W25Q16DVSNIG