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W25Q16CVSNJP TR 发布时间 时间:2025/8/20 13:42:11 查看 阅读:6

W25Q16CVSNJP TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为 16Mbit(即 2MB),采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费电子、工业控制、汽车电子等领域,适用于需要大容量存储和快速读写的应用场景。

参数

容量:16Mbit
  接口:SPI
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-Pin SOIC
  读取速度:最高支持 80MHz
  编程/擦除电压:3V
  

特性

W25Q16CVSNJP TR 具备多种先进特性,包括高性能的读写速度和低功耗设计,适用于各种便携式设备和嵌入式系统。其 SPI 接口支持多种模式,使得与主控芯片的通信更加灵活高效。该芯片支持快速读取、页编程、扇区擦除和整体擦除等多种操作模式,满足不同应用场景下的数据存储需求。此外,W25Q16CVSNJP TR 还具备较高的可靠性和稳定性,支持超过 100,000 次的擦写周期,并具有 20 年的数据保持能力。芯片内置的错误检测和纠正机制确保了数据的完整性,同时支持软件和硬件写保护功能,防止意外数据写入或擦除。其小尺寸封装设计也适用于空间受限的应用场景。

应用

该芯片常用于嵌入式系统中的程序存储和数据存储,例如智能家居设备、穿戴设备、安防监控设备、工业控制系统和汽车电子设备等。在消费电子领域,W25Q16CVSNJP TR 可用于智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等设备的固件存储。在工业控制中,该芯片可用于存储传感器数据、校准参数和设备配置信息。由于其高可靠性和宽温度范围,W25Q16CVSNJP TR 也适用于对环境适应性要求较高的汽车电子系统,如车载导航、行车记录仪和车载娱乐系统。

替代型号

W25Q16JVSSNM TR, W25Q16DVSNIG TR, AT25SF161A-SH-B, SST25VF016B-50-4I-S2A

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W25Q16CVSNJP TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC