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W25Q128JVSIM TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:47:24 查看 阅读:3

W25Q128JVSIM TR 是由 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为128Mbit(16MB),支持标准SPI、双输出SPI、四输出SPI以及QPI(Quad Peripheral Interface)等多种通信接口模式。该器件采用工业级标准封装,适用于广泛的嵌入式系统和存储应用。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  接口类型:SPI / QPI
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:8-SOIC
  读取频率:最高可达104MHz(SPI)/ 166MHz(QPI)
  擦除时间:块擦除(64KB)约150ms,芯片擦除约50s
  写入时间:页写入(256字节)约3ms

特性

W25Q128JVSIM TR 是一款功能强大的非易失性存储器芯片,专为需要高容量、高速数据存储和低功耗运行的应用而设计。其支持的多种接口模式(包括标准SPI、Dual SPI、Quad SPI和QPI)使其在不同应用场景下具备更高的灵活性和性能。在高速模式下,QPI接口可实现高达166MHz的时钟频率,从而显著提升数据吞吐率。
  该芯片集成了多种高级功能,例如连续读取模式、安全扇区锁定、软件写保护以及硬件写保护引脚,确保数据存储的安全性。此外,W25Q128JVSIM TR 支持多达256个可编程块保护区域,允许用户根据需求进行灵活的存储管理。
  低功耗设计是其另一大亮点。在待机模式下,电流消耗可低至10uA,非常适合电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。此外,该芯片具备优异的耐用性和数据保持能力,支持10万次擦写周期,并可在常温下保存数据长达20年。

应用

W25Q128JVSIM TR 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、物联网(IoT)设备、智能家电、汽车电子系统、手持设备以及无线通信模块等领域。其高容量和灵活接口使其特别适用于代码存储、固件存储、图形数据缓存以及日志记录等应用场景。

替代型号

M25P128、M25P128-12P/SN、EN25Q128B

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W25Q128JVSIM TR参数

  • 现有数量205,845现货
  • 价格1 : ¥14.39000剪切带(CT)2,000 : ¥9.98921卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC