您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W25Q128JVBJM TR

W25Q128JVBJM TR 发布时间 时间:2025/8/20 10:29:34 查看 阅读:20

W25Q128JVBJM TR是一款由Winbond生产的串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为128Mbit(16MB),广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,如微控制器程序存储、数据日志记录、固件存储等。该芯片采用标准的SPI接口进行通信,具有高速读取和低功耗的特点。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOIC 8引脚
  时钟频率:最高可达104MHz(快速读取模式)
  擦写寿命:100,000次编程/擦除周期
  数据保持时间:20年

特性

W25Q128JVBJM TR具有多种高性能特性,使其在嵌入式应用中表现出色。首先,该芯片支持标准SPI、双输出SPI(Dual Output SPI)和四输出SPI(Quad Output SPI)模式,显著提高了数据传输速率。此外,它还支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护,可防止意外写入或擦除数据,适用于对数据安全性要求较高的场景。W25Q128JVBJM TR还具备低功耗设计,在掉电模式下电流极低,非常适合电池供电设备使用。芯片内部包含多个可编程块和扇区,用户可以根据需要灵活地进行数据存储管理。此外,该芯片具有高可靠性和长寿命,编程/擦除周期可达10万次,数据保持时间长达20年。

应用

W25Q128JVBJM TR适用于多种嵌入式系统,如物联网设备、工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子模块、医疗设备和通信设备等。它常用于存储微控制器的固件代码、配置参数、图像或音频数据等。由于其高可靠性与宽工作温度范围,该芯片也适合在恶劣环境中使用。

替代型号

W25Q128JVSSNM TR, MX25R12835FZNI-10G, SST26VF016B-104I/SN

W25Q128JVBJM TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W25Q128JVBJM TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)