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W25Q128FVFIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:38:55 查看 阅读:16

W25Q128FVFIQ-TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),容量为128Mbit(即16MB),广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,如消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行数据读写操作,并支持多种高速模式,能够满足对存储速度有较高要求的应用场景。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V至3.6V
  读取频率:最高104MHz
  编程/擦除电压:3V
  封装类型:16引脚 SOIC
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  存储单元组织方式:16,777,216 x 8
  页大小:256字节
  块大小:4KB、32KB、64KB
  擦除时间:1ms(典型值)

特性

W25Q128FVFIQ-TR 采用先进的 CMOS 工艺制造,具备优异的稳定性和可靠性,适用于多种复杂环境。其 SPI 接口不仅简化了主控芯片与存储器之间的连接,还降低了系统设计的复杂度,提高了整体的集成度。该芯片支持多种工作模式,包括标准模式、双输出模式、双输入输出模式、四输出模式和四输入输出模式,从而在不同的应用需求下提供灵活的接口选择。
  此外,W25Q128FVFIQ-TR 提供了丰富的功能特性,例如支持 JEDEC 标准的 ID 读取、软件写保护、硬件写保护、状态寄存器锁定等,以增强数据的安全性和可靠性。它还支持快速读取、连续读取模式,以及低功耗待机模式,有助于降低系统功耗,延长设备的使用时间。
  该芯片内部采用 NOR 型闪存结构,支持单字节编程和页编程(Page Program)操作,用户可以灵活地进行数据写入。擦除操作方面,W25Q128FVFIQ-TR 支持按扇区(4KB)、按块(32KB 或 64KB)以及整片擦除,满足不同场景下的数据管理需求。同时,芯片内置错误校正机制,能够有效提升数据读写的稳定性。

应用

W25Q128FVFIQ-TR 适用于多种需要大容量非易失性存储的应用场景。例如,在消费电子产品中,它可以用于存储固件、引导代码、用户数据等;在工业控制系统中,可以作为程序存储器或数据日志存储器;在通信设备中,可用于存储配置文件、操作系统镜像等;在汽车电子领域,它可用于存储仪表盘程序、导航地图、车载娱乐系统资源等。
  此外,该芯片还可用于物联网设备、智能穿戴设备、智能家居控制器等新兴应用中,为设备提供可靠的代码和数据存储解决方案。由于其高性能、低功耗和高集成度的特点,W25Q128FVFIQ-TR 在嵌入式系统的开发中具有很高的实用价值。

替代型号

IS25LQ0128-MLA1A TR, MX25L12835FZNI-10G TR, GD25Q128C-TR

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W25Q128FVFIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC