容量：128Mbit（16MB）
　　接口类型：SPI（标准/双线/四线）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC
　　读取频率：最大104MHz
　　页大小：256字节
　　块大小：4KB（可变块大小）
　　编程时间：1.4ms/页（典型值）
　　擦除时间：35ms（4KB块）
　　待机电流：10uA（典型值）

W25Q128FVBJQ 是一款功能强大的串行闪存芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高性能的双重优势。其主要特性包括支持标准、双线和四线SPI接口模式，能够适应不同的系统设计需求。该芯片支持高速读取操作，最大频率可达104MHz，从而显著提升数据访问效率。此外，W25Q128FVBJQ 提供灵活的存储管理功能，包括可变块大小（最小4KB）、页编程（256字节/页）以及快速擦除功能，使得用户可以根据具体应用需求进行优化配置。
　　在可靠性方面，该芯片具有高耐用性和数据保持能力，支持10万次擦写循环，并可保持数据长达20年。此外，W25Q128FVBJQ 还集成了多种保护机制，例如软件和硬件写保护、状态寄存器锁定等，确保关键数据的安全性。其低功耗设计使其在待机模式下的电流消耗仅为10μA，适用于电池供电设备和便携式电子产品。

W25Q128FVBJQ 由于其大容量、高性能和低功耗特性，广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。典型应用包括固件存储（如BIOS、嵌入式程序）、图像和音频数据存储、物联网设备、可穿戴设备、智能家电、工业控制模块以及网络通信设备。此外，该芯片也非常适合用于需要快速启动和频繁数据更新的应用场景，例如汽车电子、移动终端和数据采集系统。

GD25Q128B, MX25L12835F, SST25VF016B