W25Q01JVTBIQ TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于其 W25Q 系列产品。该芯片主要面向需要大容量非易失性存储器的应用,例如代码存储、数据记录和固件更新等场景。W25Q01JV 支持标准 SPI、双输出 SPI、四输出 SPI 和连续模式,提供了灵活的接口选项以满足不同的系统需求。该芯片采用小型的 8 引脚 TSSOP 封装,适用于工业级温度范围,具备高可靠性和稳定性。
容量:1Gb (131,072 KB / 128 MB)
电压范围:1.65V 至 3.6V
封装类型:TSSOP
封装引脚数:8
接口类型:SPI
最大时钟频率:120MHz
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取模式:标准 SPI、Dual Output SPI、Quad Output SPI、连续模式
写保护功能:硬件写保护 / 软件写保护
擦除功能:芯片擦除 / 扇区擦除 / 块擦除
页面编程大小:256 字节
擦除周期:100,000 次(典型)
数据保留时间:20 年
W25Q01JVTBIQ TR 具备多项高性能特性,首先是其高密度存储能力,提供 1Gb 的存储容量,适用于需要大容量代码或数据存储的应用场景。芯片支持多种读写模式,包括标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI,使得数据传输更加高效,特别是在 Quad SPI 模式下,数据传输速率显著提升。此外,该芯片支持高达 120MHz 的时钟频率,满足高速访问的需求。
在功耗方面,W25Q01JV 采用了低功耗设计,支持多种省电模式,包括深度掉电模式,非常适合电池供电设备和对能耗敏感的应用。芯片内置硬件写保护和软件写保护机制,防止误写入和数据损坏,提高了系统的数据安全性。
W25Q01JVTBIQ TR 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,如智能电表、工业控制器、安防摄像头、WiFi 模块、蓝牙设备、穿戴设备等。由于其支持多种 SPI 模式和高速访问特性,也广泛用于需要快速启动和高效存储的微控制器系统中。此外,该芯片还可用于固件存储、数据日志记录、图形存储等应用场景。
W25Q01JVIMQ, W25Q01JVSSIQ, W25Q128JV