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W25N512GWEIT TR 发布时间 时间:2025/8/20 8:25:10 查看 阅读:20

W25N512GWEIT TR 是 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行 NAND Flash 存储器芯片,容量为 512MB。这款芯片采用了标准的 SPI(串行外设接口)协议进行通信,适用于需要大容量存储和高速数据读取的应用场景,例如固件存储、代码执行、数据日志记录等。W25N512GWEIT TR 的封装形式为 WSON(8 引脚),适合在空间受限的 PCB 设计中使用。

参数

容量: 512Mbit
  电压范围: 1.65V - 3.6V
  接口类型: SPI
  最大时钟频率: 104MHz
  读取速度: 104MHz
  编程/擦除电压: 3V
  封装类型: WSON
  工作温度范围: -40°C ~ +85°C

特性

W25N512GWEIT TR 的主要特性之一是其支持高速 SPI 接口,最高时钟频率可达 104MHz,这使得数据传输速度非常快,非常适合需要快速读取和写入的应用。此外,该芯片的电压范围较宽,从 1.65V 到 3.6V,使其能够适应多种电源设计,并提高了系统的灵活性。
  该芯片的擦写次数高达 100,000 次,数据保留时间可达 20 年,具备出色的耐用性和可靠性。W25N512GWEIT TR 还支持多种保护机制,包括软件写保护和硬件写保护,能够有效防止意外的数据写入或擦除操作,保障数据的安全性。
  为了进一步优化性能,该芯片支持页编程(Page Program)和块擦除(Block Erase)操作,最小擦除单位为 128KB,适合需要频繁更新部分数据的应用。此外,W25N512GWEIT TR 还具备 JEDEC 标准的制造商 ID 和设备 ID 识别功能,方便主机系统进行设备识别和兼容性判断。

应用

W25N512GWEIT TR 广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如网络路由器、工业控制器、物联网(IoT)设备、智能家电、医疗设备以及汽车电子系统。在这些应用中,该芯片通常用于存储引导代码(Boot Code)、固件、配置数据或用户数据。
  由于其高速 SPI 接口和低功耗特性,W25N512GWEIT TR 也适用于需要频繁更新固件或记录数据的日志设备。此外,在汽车电子系统中,该芯片可以用于存储仪表盘控制程序、导航数据或 ADAS(高级驾驶辅助系统)相关的信息。
  对于需要长时间数据保存和高可靠性的工业控制系统,W25N512GWEIT TR 也是一个理想的选择。它的宽工作温度范围(-40°C ~ +85°C)使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

替代型号

W25N512JVEIQ TR, W25N512JVFIG TR, W25Q512JVIM TR

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W25N512GWEIT TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥16.47276卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页700μs
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)