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W25N512GVFIT 发布时间 时间:2025/8/20 7:47:12 查看 阅读:27

W25N512GVFIT是一款由Winbond公司推出的512Mb(64MB)串行NAND闪存芯片,采用高度集成的设计,适用于需要大容量非易失性存储的应用场合。该器件支持SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具备高速数据读写能力,适用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备等。W25N512GVFIT具有高性能、低功耗和高可靠性,同时支持ECC(错误校正码)功能以增强数据完整性。

参数

容量:512Mb(64MB)
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  读取速度:最大104MHz(SPI模式)
  写入速度:最大32MB/s(缓存编程模式)
  擦除类型:块擦除、页擦除、全片擦除
  页面大小:2KB + 64B OOB(Out-of-Band)
  块大小:128KB(每块64页)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)或WSON(Wettable Flank SON)
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W25N512GVFIT具备多种高级特性,包括硬件写保护、软件写保护、一次性可编程(OTP)区域、ECC支持等,确保数据存储的安全性和可靠性。其SPI接口支持多种传输模式(Mode 0, Mode 3),提高了系统的兼容性和灵活性。此外,该芯片内置缓存编程功能,可显著提升数据写入速度。OOB区域可用于存储元数据或ECC校验信息,适用于需要高数据完整性的应用。芯片还支持快速读取、连续读取模式和低功耗待机模式,适用于电池供电设备。

应用

W25N512GVFIT广泛应用于嵌入式系统、工业自动化控制、网络设备、消费电子产品(如智能电视、机顶盒)、固件存储、图像存储、数据记录仪等领域。其大容量和SPI接口的兼容性使其成为替代传统并行NAND闪存的理想选择,尤其是在空间受限和需要高集成度的设计中。

替代型号

GD5F512S5D, MX35LF512E, HY25P512A, F25L512

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W25N512GVFIT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格176 : ¥16.98074托盘
  • 系列SpiFlash?
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页700μs
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC