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W25M512JVEIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 4:46:20 查看 阅读:2

W25M512JVEIQ TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于 NOR Flash 存储器类别。这款芯片的存储容量为 512 Mbit(即 64 MB),适用于需要高速读写和代码存储的应用场景。W25M512JVEIQ TR 采用 8 引脚或 16 引脚的封装形式,支持标准 SPI、双路 SPI 和四路 SPI 接口模式,提供灵活的通信方式。该芯片广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子、物联网设备等领域。

参数

容量:512 Mbit(64 MB)
  接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  工作电压:1.65V - 3.6V
  最大时钟频率:104 MHz
  读取速度:104 MHz
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  封装类型:8-Pin 或 16-Pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W25M512JVEIQ TR 的主要特性之一是其多 I/O 接口能力,支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI 模式,从而提高数据传输速率。芯片内置高性能的读写控制逻辑,支持快速页面编程和扇区擦除操作,显著提高了数据写入和删除的效率。
  该芯片具有低功耗设计,适用于便携式设备和电池供电系统。其工作电压范围宽广(1.65V 至 3.6V),适应多种电源环境。W25M512JVEIQ TR 的擦写寿命可达 100,000 次,数据保存时间长达 20 年,确保了长期稳定的数据存储。
  此外,W25M512JVEIQ TR 还具备高可靠性,适用于严苛的工业和汽车环境。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足大多数工业应用的需求。芯片内部集成多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止意外数据修改或擦除,增强系统安全性。
  W25M512JVEIQ TR 提供灵活的存储管理功能,支持多个扇区划分,允许用户对存储空间进行精细控制。这种特性特别适用于需要分区管理的固件更新和数据存储应用。

应用

W25M512JVEIQ TR 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,例如工业控制系统的固件存储、汽车电子中的仪表盘和车载娱乐系统、消费类电子产品如智能手表和智能家居设备、以及物联网(IoT)设备中的数据缓存和程序存储。
  在汽车电子应用中,W25M512JVEIQ TR 可用于存储导航数据、车载娱乐系统的固件以及传感器数据记录。其高可靠性和宽工作温度范围使其非常适合在汽车环境中使用。
  在工业自动化领域,该芯片可用于存储配置数据、程序代码以及设备状态信息。其支持高速 SPI 接口的特性,使其能够满足工业设备对数据传输速度和实时性的要求。
  此外,W25M512JVEIQ TR 还适用于智能电表、安防监控设备、医疗仪器等对数据存储稳定性和安全性要求较高的应用场合。

替代型号

Winbond W25M512JVFMTR、Winbond W25M512JVEIM TR、Winbond W25Q64JVSSIQ、Winbond W25Q128JVSSIM

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W25M512JVEIQ TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥40.06751卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)