类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.23Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

W20NB60具备多项优异特性，使其适用于多种高功率应用。首先，其漏源电压高达600V，可以适应高电压输入的电源转换系统，确保器件在极端电压环境下依然稳定运行。其次，该MOSFET的漏极电流能力为20A，能够支持高功率负载，适用于需要较大输出电流的电路设计。
　　此外，W20NB60的导通电阻仅为0.23Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统的整体效率，并减少发热。这对于需要长时间运行的设备（如工业电源和电机驱动器）尤为重要。
　　该器件的栅源电压范围为±30V，具有较强的栅极驱动兼容性，可与多种控制电路（如PWM控制器）直接配合使用，简化了电路设计的复杂性。同时，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种恶劣环境下的可靠运行。
　　最后，W20NB60采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB上，提升器件的热稳定性，从而延长使用寿命。这一封装形式也便于安装和更换，适合广泛应用于各种电子设备中。

W20NB60广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和服务器电源模块。其高电压和大电流能力使其成为电机控制和变频器设计的理想选择，尤其适用于工业自动化设备和电动工具。此外，该MOSFET也适用于DC-DC转换器，如升降压转换器和同步整流电路，能够有效提升能量转换效率。
　　在照明领域，W20NB60可用于LED驱动器和HID（高强度气体放电灯）照明系统的电源管理模块。其低导通电阻和高可靠性能够确保照明系统在长时间运行下的稳定性和节能效果。
　　除此之外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及家电控制系统等高功率应用中，满足对高性能功率开关的需求。

STP20NK60Z, IRFGB40N60KD1, FQA20N60C