W20NA50 时间：2025/7/23 22:05:49 阅读：8

W20NA50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等多种电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A（@TC=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-264、TO-3P等

特性

W20NA50具有多个优异的电气和热性能特点，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其0.22Ω的典型值在同类器件中处于较低水平，适用于需要高效能转换的应用场景。
　　其次，W20NA50具备高达500V的漏源电压（VDS）耐受能力，适合用于高压电源系统中，如AC-DC电源适配器、工业电源和电机驱动电路等。其高耐压特性也增强了器件在恶劣工作环境下的稳定性。
　　此外，该MOSFET具有较高的连续漏极电流能力（20A），可支持较大负载的开关控制。同时，其脉冲漏极电流可达80A，适用于需要瞬时高电流的应用，如马达启动或电容充电电路。
　　热性能方面，W20NA50采用了高散热效率的封装设计（如TO-264），有效降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。其工作温度范围宽达-55℃至150℃，适用于各种严苛的工业环境。
　　最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了系统的灵活性和适应性。

应用

W20NA50广泛应用于需要高功率开关性能的电子系统中。常见的应用包括：AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动与控制、照明镇流器、工业自动化控制系统以及各种高功率负载开关电路。其高耐压和低导通电阻的特性也使其在电动汽车充电设备、太阳能逆变器等新能源领域中具有良好的应用前景。