容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装：TSOP
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　工作频率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　

W198160ATT9H 具备多项先进特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片采用同步设计，所有操作均与时钟信号同步，确保了高速数据传输的稳定性。其次，其低功耗设计使其非常适合电池供电设备或需要高效能耗比的应用。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够有效降低功耗并延长数据保持时间。在性能方面，W198160ATT9H 的访问时间仅为5.4ns，最高工作频率可达166MHz，确保了快速的数据存取能力。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力，适用于高密度电路板设计。同时，该芯片的工作温度范围广泛，能够在-40°C至+85°C的环境中稳定运行，适用于工业级应用。Winbond 还为其提供了全面的技术支持，包括数据手册、应用笔记和设计指导，帮助用户快速集成该芯片到实际产品中。
　　从制造工艺来看，W198160ATT9H 采用了先进的CMOS技术，这不仅降低了芯片的功耗，还提高了其抗噪声能力和信号完整性。此外，该芯片的16位数据宽度使其在需要并行处理大量数据的应用中表现出色，例如图像处理、嵌入式系统和工业控制设备。综上所述，W198160ATT9H 是一款性能优异、可靠性高的SDRAM芯片，适用于对存储容量和速度有较高要求的应用场景。

W198160ATT9H 主要应用于需要高性能内存支持的设备，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、图像处理设备以及消费类电子产品。其高速访问能力和低功耗特性使其成为便携式设备和实时系统中的理想选择。此外，该芯片也适用于需要大量数据缓存的场景，例如视频采集设备和数据采集系统。

IS61LV102416ALB5A、CY7C1041B3-10ZSXC、IDT71V124SA10PFG、W198160ATS9H