时间:2025/11/3 21:45:55
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W195BH是一款由WeEn Semiconductors(瑞能半导体)生产的高压超快恢复二极管,广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面玻璃钝化技术制造,确保了其在高温、高电压工作环境下的长期可靠性与稳定性。W195BH的额定反向重复峰值电压(VRRM)为1950V,正向平均电流(IF(AV))在80°C下可达到1A,具备优异的开关性能和低反向漏电流特性,适用于桥式整流电路、开关模式电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业控制设备等电力电子应用领域。其封装形式通常为DO-41或类似轴向引线封装,便于在PCB上安装并具备良好的散热能力。此外,该二极管通过了多项国际安全认证,符合RoHS环保要求,适合在全球范围内使用于各类工业与消费类电子产品中。
型号:W195BH
器件类型:高压超快恢复二极管
最大重复峰值反向电压 VRRM:1950V
最大直流阻断电压 VR:1950V
最大有效值电压 Vrms:1379V
最大平均正向整流电流 IF(AV) @ 80°C:1A
峰值非重复浪涌电流 IFSM (8.3ms 半正弦波):30A
最大瞬时正向压降 VF @ 1A:1.65V
最大反向漏电流 IR @ 25°C:5μA
最大反向漏电流 IR @ 125°C:200μA
反向恢复时间 trr:75ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围 Tstg:-55°C 至 +150°C
封装类型:DO-41(轴向引线)
极性:单只二极管(非对称结构)
焊接温度(1.6mm,10秒):260°C
W195BH的核心特性之一是其高达1950V的反向耐压能力,使其能够在高压环境中稳定运行,尤其适用于需要承受瞬态过电压的应用场景,如AC-DC整流电路中的输入级保护。该器件采用了优化的PN结设计和玻璃钝化工艺,显著提升了表面绝缘性能,降低了因表面污染或湿气侵入导致的漏电风险,从而增强了长期工作的可靠性。其反向恢复时间trr典型值仅为75ns,属于超快恢复二极管范畴,能够有效减少开关损耗,在高频开关电源中表现出色。快速的恢复特性还减少了电磁干扰(EMI)的产生,有助于简化滤波电路设计并提高整体系统的电磁兼容性。
另一个重要特点是其较低的正向导通压降,在1A电流下最大仅为1.65V,这不仅提高了能量转换效率,也减少了器件自身的功耗发热。结合其1A的平均电流承载能力,W195BH可在紧凑空间内实现高效整流功能。该器件具有出色的热稳定性,即使在125°C高温环境下,反向漏电流仍被控制在200μA以内,避免了高温条件下可能出现的热失控问题。此外,它具备较强的抗浪涌能力,可承受高达30A的非重复峰值电流冲击,适用于电网波动较大或存在频繁启动/关断操作的工业环境。
W195BH的DO-41封装提供了良好的机械强度和散热性能,支持通孔安装方式,便于自动化生产和手工焊接。其引脚间距符合标准规范,兼容大多数PCB布局设计。由于采用无铅材料和符合RoHS指令的生产工艺,该产品满足现代绿色电子产品的环保要求。总体而言,W195BH凭借其高压、高速、高可靠性和良好热性能的综合优势,成为众多中高功率电源系统中理想的整流解决方案之一。
W195BH主要应用于各类需要高压整流功能的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的桥式整流单元,尤其是在输入端进行交流到直流转换的部分,适用于全球通用输入电压范围(85VAC至265VAC),能有效应对高压瞬态冲击。在不间断电源(UPS)系统中,该二极管用于市电整流及电池充放电管理回路,保障系统在断电情况下平稳切换至备用电源。此外,它也被广泛用于逆变器设备,如太阳能光伏逆变器和电机驱动逆变器的辅助电源模块中,提供稳定的直流母线电压。
在工业控制领域,W195BH常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源模块和传感器供电单元中,作为前端整流元件。其高耐压和抗浪涌能力特别适合在电磁环境复杂、电网质量较差的工厂环境中长期运行。同时,该器件还可用于LED驱动电源、电视和显示器的背光电源、小型家电电源适配器等消费类电子产品中,尤其适用于要求高效率和高可靠性的设计方案。
除此之外,W195BH也可用于电焊机、医疗设备电源、通信基站电源等对安全性和稳定性要求较高的专业设备中。由于其具备优良的反向恢复特性和较低的电磁噪声,有助于提升整个系统的能效等级并满足严格的EMI发射标准。在一些需要冗余设计或多管并联使用的场合,W195BH的一致性参数分布也有助于均衡电流分配,提升系统整体寿命和安全性。
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