类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：160A
　　正向压降（VF）：典型值1.65V @ 80A, 25°C
　　最大瞬态正向压降（VF）：约1.95V @ 160A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值0.5mA @ 650V, 25°C；最大5mA @ 650V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向恢复时间（trr）：无反向恢复（理想肖特基行为）
　　热阻结到外壳（RθJC）：约0.125°C/W
　　封装类型：TO-247-2L

W160A20的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所构建的肖特基势垒结构，这使得它在性能上远超传统硅基PIN二极管。首先，该器件实现了真正的“零反向恢复电荷”（Qrr ≈ 0），这意味着在高频开关过程中不会产生由少数载流子积累引起的反向恢复电流尖峰，从而极大减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性对于工作频率高于50kHz的电源拓扑如LLC谐振转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路尤为重要。其次，尽管其正向压降略高于某些硅器件，但在高温条件下仍能保持较低且稳定的导通压降，避免了硅二极管常见的热失控问题。
　　另一个关键特性是其卓越的热稳定性与高结温能力。W160A20可在高达175°C的结温下长期可靠运行，适合紧凑型高功率密度设计中的严苛散热环境。同时，碳化硅材料的高临界电场强度使其能够在650V额定电压下保持薄漂移层结构，进一步降低导通电阻与损耗。此外，该器件具有非常低的反向漏电流，在常温下仅为微安级水平，即便在175°C高温环境下也控制在毫安级以内，确保待机功耗和静态损耗维持在合理范围内。
　　W160A20还具备良好的抗浪涌能力，可承受短时过电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其TO-247-2L封装设计优化了热传导路径，便于安装散热器或嵌入模块化系统中。由于没有PN结相关的少子存储效应，该二极管响应速度极快，适用于极高频率的斩波和整流应用。综合来看，W160A20通过材料革新带来了效率、频率和温度性能的全面提升，是现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件。

W160A20主要应用于对能效、功率密度和热管理有严苛要求的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件被广泛用于高效率图腾柱无桥PFC电路中，利用其零反向恢复特性显著提升轻载与满载效率，满足80 PLUS钛金等超高能效标准。在太阳能光伏逆变器中，W160A20作为直流侧升压电路或交流侧续流/反并联二极管使用，有助于提高MPPT效率并降低系统温升，延长设备寿命。电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中也大量采用此类碳化硅二极管，以实现更高开关频率下的低损耗运行，缩小磁性元件体积，提升充电效率与功率密度。
　　工业电机驱动和变频器系统中，W160A20可用于制动单元或辅助电源整流模块，提供快速响应和高可靠性。在不间断电源（UPS）系统中，尤其是在双变换在线式架构中，该器件有助于减少逆变级和整流级的损耗，提升整体系统效率至96%以上。此外，焊接设备、感应加热电源以及高功率LED驱动电源等需要高动态响应和高效整流的场合，也是W160A20的理想应用场景。得益于其宽温度工作范围和高可靠性，该器件还可用于航空航天、轨道交通等极端环境下的电源系统设计。随着全球对节能减排的要求日益严格，W160A20在各类绿色能源和智能电网相关设备中的渗透率持续上升。

C4D160160A
　　SD160S60A