类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：14A（@Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.35Ω
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

W14N50 MOSFET 采用了先进的平面工艺，具有优异的热稳定性和较高的开关效率。其主要特性包括：
　　1. **高耐压设计**：漏源击穿电压高达 500V，适用于高压电源转换系统。
　　2. **低导通电阻**：Rds(on) 最大值为 0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. **高电流能力**：在适当散热条件下，可承受高达 14A 的连续漏极电流，适合中高功率应用。
　　4. **良好的热性能**：最大功率耗散为 125W，确保在高负载情况下仍能稳定运行。
　　5. **宽工作温度范围**：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作环境，适用于工业级应用。
　　6. **抗雪崩能力**：内置抗雪崩保护结构，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　7. **兼容性强**：栅极驱动电压范围宽（±20V），与常见的 PWM 控制器兼容，便于设计和集成。

W14N50 广泛应用于多种电力电子系统中，包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换电路，提供高效的电源转换能力。
　　2. **电机驱动器**：用于控制电机的启停和调速，特别是在工业自动化和电动工具中。
　　3. **逆变器系统**：如 UPS 不间断电源、太阳能逆变器等，提供高压高电流的开关控制。
　　4. **电池管理系统**：在电池充放电控制电路中作为主开关器件使用。
　　5. **LED 照明驱动**：适用于高功率 LED 灯具的恒流驱动电路。
　　6. **家电控制**：如电磁炉、电饭煲等家用电器中的功率控制模块。
　　7. **工业自动化设备**：用于继电器替代、负载切换等场合。

IRF840, FQA16N50, 2SK2647, STP12NK50Z, FDP14N50