VZH680M1V0806-TR 时间：2025/5/23 21:45:48 阅读：10

VZH680M1V0806-TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 设计。该器件适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、无线充电模块和电机驱动系统等。相比传统的硅基 MOSFET，VZH680M1V0806-TR 提供了更低的导通电阻和更高的工作频率，从而显著提高了系统的功率密度和能效。
　　该器件具有坚固的封装设计，能够承受恶劣的工作环境，并提供卓越的热性能。同时，它兼容标准栅极驱动电路，简化了设计流程并降低了整体复杂性。

参数

型号：VZH680M1V0806-TR
　　类型：增强型 GaN FET
　　漏源电压 (Vds)：600 V
　　连续漏极电流 (Id)：8 A
　　导通电阻 (Rds(on))：68 mΩ
　　栅极电荷 (Qg)：35 nC
　　输入电容 (Ciss)：1420 pF
　　输出电容 (Coss)：70 pF
　　反向传输电容 (Crss)：25 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

VZH680M1V0806-TR 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高击穿电压（600V），支持宽范围的应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（68mΩ），在大电流条件下减少了功率损耗。
　　3. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷和反向传输电容，非常适合高频应用。
　　4. 支持高温运行（最高可达+150°C），增强了器件在严苛条件下的可靠性。
　　5. 兼容现有硅基 MOSFET 栅极驱动器，方便用户直接升级现有设计。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适合现代工业需求。

应用

VZH680M1V0806-TR 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
　　2. 电动工具和无人机中的高效电机驱动器。
　　3. 数据中心及通信设备的高效率 DC-DC 转换模块。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车的车载充电器 (OBC) 和逆变器。
　　5. 高频谐振转换器，如 LLC 和相移全桥拓扑。
　　6. 智能家居与消费电子产品的无线充电解决方案。