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VWM200-01P 发布时间 时间:2025/8/6 9:37:40 查看 阅读:17

VWM200-01P是一款由Vishay公司制造的红外发射器,属于光电二极管类别,常用于红外线通信和遥控应用。该器件工作在近红外光谱区域,通常发射波长约为940nm。它具有高发射效率、低功耗和较长的使用寿命等优点,适用于各种通用红外发射场景。

参数

类型:红外发射器
  波长:940nm
  最大正向电流:100mA
  峰值正向电流:1A
  反向电压:5V
  功率耗散:150mW
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TO-18金属封装

特性

VWM200-01P红外发射器具有出色的光发射效率,能够提供稳定的红外光输出。其高可靠性设计使其在长时间运行时仍能保持良好的性能。此外,该器件具有快速响应时间,适合用于需要快速调制的应用场景,例如红外遥控器、传感器和数据通信设备。器件的金属封装提供了良好的散热性能,有助于延长使用寿命。
  VWM200-01P的光学特性在不同的工作条件下保持稳定,确保在各种环境中的可靠运行。该发射器还具有较低的功耗,适合电池供电设备的应用。其封装设计也提供了良好的机械强度和环境耐受性,适用于工业和消费类电子产品。
  该器件的安装简便,通常通过标准的焊接工艺即可完成,适用于自动化生产线。此外,VWM200-01P在电气和光学性能方面具有一致性,确保了在大批量应用中的兼容性和可靠性。

应用

VWM200-01P广泛应用于红外遥控设备、光电传感器、自动门控制系统、安防摄像头红外补光、数据通信设备以及各类工业和消费类电子设备中的红外发射模块。

替代型号

Vishay VSMY2850X01, Everlight IR-333C/HW, OSRAM SFH 4150, TT Electronics OP293A

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VWM200-01P参数

  • 标准包装5
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C210A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs430nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳V2-PAK
  • 供应商设备封装V2-PAK
  • 包装