时间：2025/8/6 7:59:25
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VVZB135-16IOXT是一款由Vishay Siliconix制造的功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用。
类型：MOSFET
工艺技术：沟槽型
最大漏极电流：16A
最大漏源电压：30V
导通电阻：0.022Ω
封装类型：TO-252
工作温度范围：-55°C至150°C
VVZB135-16IOXT具有低导通电阻，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，使得在相同尺寸下，能够提供更高的电流处理能力。
其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在各种环境条件下稳定工作。
此外，VVZB135-16IOXT还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。这对于高频开关应用尤为重要，如开关电源和DC-DC转换器。
VVZB135-16IOXT广泛应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710PBF
