时间：2025/9/6 1:15:21
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VVP3101CAD 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理和开关应用，具备高电流处理能力和较低的导通电阻，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制及电池供电设备等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：80 A（最大值）
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻 RDS(on)：最大 4.5 mΩ（在 VGS = 10 V 时）
功耗（PD）：170 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双封装
VVP3101CAD 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有极低的功率损耗。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并降低驱动损耗，从而在高频开关应用中表现优异。此外，该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过压条件下仍能稳定运行。其封装设计优化了热性能，有助于在高功率密度设计中实现良好的散热效果。VVP3101CAD 还具备高耐用性，适用于严苛的工作环境，包括高温和频繁开关操作。该器件符合 RoHS 标准，适合绿色环保的电子设备设计。
VVP3101CAD 常见于高性能电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动器。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为笔记本电脑、服务器电源、电池管理系统和工业自动化设备的理想选择。此外，该器件也可用于电源管理模块、负载切换和功率分配系统。
Si7496DP-T1-GE3, IRF7496TRPBF, SQJA44N30-GE3
