时间：2025/8/6 6:04:51
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VUO86-16N07是一款由STMicroelectronics（意法半导体）设计制造的功率MOSFET晶体管。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要用于高功率开关应用。其高耐压特性使其在工业控制、电源管理、电机驱动以及各种需要高效能功率转换的系统中具有广泛的应用。VUO86-16N07采用先进的技术制造，具有较低的导通电阻和良好的热性能，有助于提高系统效率并降低功耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(Vds)：160V
最大源极电压(Vss)：0V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：86A（在25℃下）
导通电阻(Rds(on))：约5.8mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
VUO86-16N07具备多项优异的电气和热性能特征，适用于高要求的功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。这种特性尤其适用于高电流应用，如直流电机驱动器、开关电源（SMPS）和电池管理系统。其次，该MOSFET的最大漏极电压为160V，使其能够在中高电压环境下稳定运行，同时具备良好的过压保护能力。
VUO86-16N07的最大连续漏极电流为86A，这使得它在大功率负载条件下依然保持稳定性能。此外，该器件具有较高的功率耗散能力（200W），能够承受较高的热应力，确保在高负载情况下的可靠性。TO-247封装形式进一步提升了散热性能，使其适用于紧凑型设计中。
该MOSFET的工作温度范围宽广（-55℃至175℃），适合在极端环境条件下使用，例如工业自动化设备、电动汽车系统和能源管理系统。栅极电压范围为±20V，确保了在各种驱动电路中的兼容性和稳定性。
VUO86-16N07主要应用于需要高功率处理能力和高效能转换的电子系统中。在工业自动化和电机控制领域，它常用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机，提供稳定的高电流输出。此外，在开关电源（SMPS）中，VUO86-16N07被广泛用于功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换模块，其低导通电阻和高耐压特性显著提升了电源转换效率。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET用于高频功率转换，实现高效的能量传输和管理。同时，它也适用于电池管理系统（BMS），用于控制高电压电池组的充放电过程，确保系统的安全性和稳定性。
此外，VUO86-16N07还可用于电动工具、电动车控制器、不间断电源（UPS）以及其他高功率电子设备中，满足对高可靠性和高性能的严格要求。
IPW65R045CFD7, IRFP4468PBF, FDP86900S
